L=ålI=15,7857*10-6
Таблица 2.6.5. Плата управления индикацией
Наименование и тип элемента
Обозначение по чертежу
Количество
Ni
Интенсивность отказа при номинальном режиме
l0i *10-6 1/ч
Режим работы
Поправочный
Коэффициент
Аi
Интенсивность отказов i-го элемента
Аi * loi *10-6, 1/ч
Интенсивность отказа изделия
Из-за элементов i-го типа
Ni * Ai * loi * 10-6, 1/ч
Коэф-т нагрузки Кн
Температура рабочая Т,о С
Микросхемы:
К555ЛН1
К555ЛН2
К155ИД10
D1, D3, D5… D7
D2
D4
5
1
0,1
0,5
40
Резисторы:
С2–33Н – 0,25–1,6 кОм±5%-А-Д
С2–33Н – 0,25–2,2 кОм±5%-А-Д
С2–33Н – 0,25–1,3 кОм±5%-А-Д
С2–33Н – 0,25–560 кОм±5%-А-Д
С2–33Н-2–300 Ом±5%-А-Д
С2–33Н – 0,25–5,1 кОм±5%-А-Д
С2–33Н – 0,25–270 Ом±5%-А-Д
С2–33Н – 0,25–470 кОм±5%-А-Д
С2–33Н – 0,25–220 кОм±5%-А-Д
С2–33Н – 0,25–1,2 кОм±5%-А-Д
С2–33Н – 0,25–300Ом±5%-А-Д
С2–33Н – 0,25–4,7 кОм±5%-А-Д
С2–33Н – 0,25–3,0 кОм±5%-А-Д
С2–33Н – 0,25–240 кОм±5%-А-Д
R1
R2
R3
R4, R59
R5, R60
R6…R13
R14
R15…R17
R18…R24,
R39…R42, R47…R50
R43…R46
R25…R31
R51…R54
R32…R38
R55…R58
R74…R84
R61…R71
R72, R73
2
8
3
15
4
11
22
0,04
2,5
0,2
0,8
0,3
1,5
0,4
1,1
2,2
Конденсаторы:
К53–14–32В – 15,0 мкФ±30%
К73–11а-250В – 10,33 мкФ±10%
К73–11а-630В – 0,022 мкФ±10%
К73–11а-250В – 1,0 мкФ±10%
КМ-5б-Н90–0.1 мкФ±10%
С1
С2, С3
С4, С5
С6
С7…С13
7
0,6
0,035
0,56
0,9
0,7
1,2
0,0315
0,42
0,063
2,94
Трансформатор
Транзистор КТ819В
Транзистор КТ605ЕМ
Диод полупроводниковый КД424А
Вилка СНП58–64/94х9В-23–2-Вилка Онп-ВС-39–16/40,5х62-В53
Пайка
Провода
T1
V1, V2
V12…V37
V4…V8
X1, X2
X3, X4
26
184
130
0,025
0,01
0,004
0,015
5,2
1,19
0,13
0,504
0.504
0,238
1,008
13,1
0,02
0,736
1,95
L=ålI=28,1*10-6
Устройство предназначено для статической и динамической проверки электрических плат построенных и разработанных для микропроцессорных систем.
Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18
