С точки зрения повышения рабочих частот наиболее предпочтительнее материалы с большим значением скорости. Линейные размеры устройств также связаны с длиной волны. Они на практике составляют величину порядка 100 длин волн. Следовательно для низкочастотных приборов на ПАВ (частоты менее 10-100 МГц) необходимо выбирать материалы с низкой скоростью распространения (1000-2000 м/с).
Уровень потерь энергии при распространении ПАВ (коэффициент затухания). Его определяют с помощью зависимости:
BM=αMf+βMf 2,(2.1)
где αM и βM – коэффициенты, характеризующие потери засчет воздушной нагрузки и вязкостных свойств материала, f – частота, ГГц.
Данная зависимость получена теоретически и подтверждена экспериментально для различных материалов и из срезов. Первое слагаемое вносит свой вклад лишь в том случае, если кристалл находится в воздухе или инертном газе и равно нулю в вакууме. Второе слагаемое обусловлено взаимодействием ПАВ с колебаниями кристаллической решетки.
При проектировании акустоэлектронных устройств, работающих на частотах менее 50 – 100 МГц потерями на распространение волн чаще всего пренебрегают. В то же время, на высоких частотах они вносят весомый вклад и обязательно должны быть учтены при выборе материала для АЭУ.
На рисунке 2.1 изображены зависимости величины вносимых потерь в зависимости от частоты работы устройства для некоторых материалов.
Рисунок 2.1 – Зависимости вносимых потерь от частоты при распространении ПАВ на поверхности монокристаллов ниобата лития, лангасита, ортофосфата галлия.
Затухание ПАВ также существенно зависит от состояния поверхности подложки Следовательно в процессе изготовления АЭУ подложки звукопроводов должны быть тщательно отшлифованы и очищены. Кроме того затухание ПАВ уменьшается и при охлаждении материала.
Параметры дифракции. Как и в оптических структурах, в приборах акустоэлектроники наблюдается явление дифракции звуковой волны (рисунок 2.2). Это приводит к расхождению пучка ПАВ и потере части энергии волны. Наибольшему влиянию дифракции подвержены устройства с аподизированными преобразователями (преобразователи с изменяющейся величиной перекрытия электродов).
Рисунок 2.2 – Дифракция пучка ПАВ
Так как монокристаллы анизотропны и их характеристики акустических волн зависят от выбранного направления распространения, то картина дифракции в них усложняется в сравнении с изотропными материалами. Скорость ПАВ при разных направлениях различна, что приводит к увеличению или уменьшению расходимости пучков. Последний эффект называется автоколлимацией, Она приводит к уменьшению дифракционных потерь и особо важна в линиях задержки с большим временем задержки и в устройствах с протяженными электродными структурами. Степень дифракции для каждого конкретного пьезоэлектрического материала фиксирована. В монокристаллах она оценивается параметром анизотропии γ. Величина и знак определяют степень дифракции поверхностных волн. В изотропной среде γ = 0; при γ > 0 дифракционные потери больше, чем в изотропной среде, при γ < 0 потери меньше, чем в изотропной среде. Если γ = –1, в анизотропной среде наблюдается автоколлимация, при которой расширение акустического пучка минимальное или отсутствует. Приведем значения параметров анизотропии и величины угла отклонения потока энергии для некоторых материалов.
Таблица 2.1 – Значения параметра анизотропии γ и величины угла отклонения потока энергии для некоторых материалов акустоэлектроники
Материал
Химическая формула
Ориентация пластины и направление распространения ПАВ
Параметр анизотропии γ
Угол отклонения потока энергии φ, 0
Кварц
SiO2
YXl/42045’ (00;132045’; 00)
0,378
0
Ниобат лития
LiNbO3
YZ
-1,08
41,50-YX
-0,45
Танталат лития
LiTaO3
-0,211
Германат висмута
Bi12GeO20
(001), [100]
-0,304
Берлинит
ALPO4
(90;90;80,40)
0,901
По мере удаления от излучателя изменяются и профили интенсивности ПАВ. Как и в классической оптике можно ввести безразмерный параметр Френеля.
,
где λ - длина волны; D – расстояние от преобразователя до точки наблюдения; H - апертура преобразователя
Значение F < 1 соответствует зоне Френеля (или ближней зоне). В этой зоне наблюдается четко выраженный акустический луч и его энергия сосредоточена в полосе, «освещаемой» апертурой преобразователя. Значение F > 1 соответствует зоне Фраунгофера (или дальней зоне), в которой акустический луч «разваливается». Очевидно, что для того чтобы вся акустическая энергия, излученная входным преобразователем, была принята выходным, преобразователи должны быть расположены в ближней зоне друг относительно друга.
Величина угла отклонения потока энергии
Если направление распространения ПАВ не совпадает с так называемым направлением чистой моды (ее угловое положение задается углом ψ0), то наблюдается отклонение потока энергии от направления распространения на угол φ (рисунок 2.3). Угол φ определяется соотношением:
φ =γ(ψ - ψ0)
где γ – параметр анизотропии; ψ – угол, определяющий направление распространение волны.
Желательно выбирать материалы с φ=0, но данное условие не всегда выполнимо. В таком случае управлять отклонением потока энергии можно засчет изменения положения элементов друг относительно друга.
Рисунок 2.3 – Схематическое представление профилей ПАВ при их распространении по монокристаллической подложке
Потери, вызванные отклонением потока энергии существенны и могут достигать 2-6 дБ.
В заключении сформулируем общие требования к идеальному материалу:
- Большой КЭМС;
- Низкая скорость ПАВ;
- Низкий уровень потерь;
- Наличие направлений с нулевым ТКЗ;
В дальнейшем при выборе материала звукопровода будем руководствоваться данными требованиями.
2.1.2 Выбор материала подложки (звукопровода)
В таблице 2.2 в качестве сравнительной характеристики приведены основные параметры материалов акустоэлектроники.
Таблица 2.2 – Основные параметры материалов подложек
Скорость ПАВ, м/с
Квадрат КЭМС, к2, %
ТКЗ
10-6/○С
YXl/42○45′ (0○;132○45′; 0○)
3158
0.11
37○ - Y
5094
0.1
YX
3159
0.19
-24
3488
4.5
94
128○ - YX
3980
5.3
75
ZXl/41○30′
3999
5.54
72
ZXb/41○30′
3503
5.36
96
41,5○-YX
4000
36○-YX
4220
6.6
30
ZY
3329
1.18
-52
ZYs/112○
3295
0.72
-
3230
0.66
35
3148
0.075
49
77.1○-YZ
3254
1681
1.36
115
(111), [110]
1708
1.69
Лангасит
La3Ga5SiO14
(0;140;24○)
2736.7
0.37
-0.06
(90;40;-6○)
2535
0.44
-19
(0;138,5;26.6○)
2740
Лангатат
La3Ga5.5Ta0.5O14
XZ
2292
0.0589
-40.6
(0;2;90○)
2210,6
0.423
64.5
Ланганит
La3Ga5.5Nb0.5O14
(30;90;90○)
2376
0.172
-45.5
(0;80,4;0○)
2751
0.63
(90;90;80,4○)
2717
0.22
(90;90;168.7○)
2926
0.49
Арсенид галлия
GaAs
(100), [110]
<2841
<0.06
(110), [100]
2822
0.016
Тетраборат лития
Li2B4O7
45○-YZ
3391
1.0
(90;90;90○)
3510
1.2
9
Ортофосфат галлия
GaPO4
(0;110;0○)
2330
0.5
(90;5;0○)
2501
0.3
(0;54;5;0○)
2342
SNGS
Sr3NbGa3Si2O14
(0;0;90○)
2835.8
0.628
-98.9
STGS
Sr3TaGa3Si2O14
2733.1
0.562
-73.1
CTGS
Ca3TaGa3Si2O14
2771.6
0.362
-37.1
CNGS
Ca3NbGa3Si2O14
2906.2
0.261
-52.0
Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24