Рефераты. Радиочастотная идентификационная метка на поверхностных акустических волнах

С точки зрения повышения рабочих частот наиболее предпочтительнее материалы с большим значением скорости. Линейные размеры устройств также связаны с длиной волны. Они на практике составляют величину порядка 100 длин волн. Следовательно для низкочастотных приборов на ПАВ (частоты менее 10-100 МГц) необходимо выбирать материалы с низкой скоростью распространения (1000-2000 м/с).

Уровень потерь энергии при распространении ПАВ (коэффициент затухания). Его определяют с помощью зависимости:


BM=αMf+βMf 2,(2.1)

где αM и βM – коэффициенты, характеризующие потери засчет воздушной нагрузки и вязкостных свойств материала, f – частота, ГГц.

Данная зависимость получена теоретически и подтверждена экспериментально для различных материалов и из срезов. Первое слагаемое вносит свой вклад лишь в том случае, если кристалл находится в воздухе или инертном газе и равно нулю в вакууме. Второе слагаемое обусловлено взаимодействием ПАВ с колебаниями кристаллической решетки.

При проектировании акустоэлектронных устройств, работающих на частотах менее 50 – 100 МГц потерями на распространение волн чаще всего пренебрегают. В то же время, на высоких частотах они вносят весомый вклад и обязательно должны быть учтены при выборе материала для АЭУ.

На рисунке 2.1 изображены зависимости величины вносимых потерь в зависимости от частоты работы устройства для некоторых материалов.


Рисунок 2.1 – Зависимости вносимых потерь от частоты при распространении ПАВ на поверхности монокристаллов ниобата лития, лангасита, ортофосфата галлия.


Затухание ПАВ также существенно зависит от состояния поверхности подложки Следовательно в процессе изготовления АЭУ подложки звукопроводов должны быть тщательно отшлифованы и очищены. Кроме того затухание ПАВ уменьшается и при охлаждении материала.

Параметры дифракции. Как и в оптических структурах, в приборах акустоэлектроники наблюдается явление дифракции звуковой волны (рисунок 2.2). Это приводит к расхождению пучка ПАВ и потере части энергии волны. Наибольшему влиянию дифракции подвержены устройства с аподизированными преобразователями (преобразователи с изменяющейся величиной перекрытия электродов).


Рисунок 2.2 – Дифракция пучка ПАВ


Так как монокристаллы анизотропны и их характеристики акустических волн зависят от выбранного направления распространения, то картина дифракции в них усложняется в сравнении с изотропными материалами. Скорость ПАВ при разных направлениях различна, что приводит к увеличению или уменьшению расходимости пучков. Последний эффект называется автоколлимацией, Она приводит к уменьшению дифракционных потерь и особо важна в линиях задержки с большим временем задержки и в устройствах с протяженными электродными структурами. Степень дифракции для каждого конкретного пьезоэлектрического материала фиксирована. В монокристаллах она оценивается параметром анизотропии γ. Величина и знак определяют степень дифракции поверхностных волн. В изотропной среде γ = 0; при γ > 0 дифракционные потери больше, чем в изотропной среде, при γ < 0 потери меньше, чем в изотропной среде. Если γ = –1, в анизотропной среде наблюдается автоколлимация, при которой расширение акустического пучка минимальное или отсутствует. Приведем значения параметров анизотропии и величины угла отклонения потока энергии для некоторых материалов.

Таблица 2.1 – Значения параметра анизотропии γ и величины угла отклонения потока энергии для некоторых материалов акустоэлектроники

Материал

Химическая формула

Ориентация пластины и направление распространения ПАВ

Параметр анизотропии γ

Угол отклонения потока энергии φ, 0

Кварц

SiO2

YXl/42045’ (00;132045’; 00)

0,378

0

Ниобат лития

LiNbO3

YZ

-1,08

0

41,50-YX

-0,45

0

Танталат лития

LiTaO3

YZ

-0,211

0

Германат висмута

Bi12GeO20

(001), [100]

-0,304

0

Берлинит

ALPO4

(90;90;80,40)

0,901

0


По мере удаления от излучателя изменяются и профили интенсивности ПАВ. Как и в классической оптике можно ввести безразмерный параметр Френеля.


,


где λ - длина волны; D – расстояние от преобразователя до точки наблюдения; H - апертура преобразователя

Значение F < 1 соответствует зоне Френеля (или ближней зоне). В этой зоне наблюдается четко выраженный акустический луч и его энергия сосредоточена в полосе, «освещаемой» апертурой преобразователя. Значение F > 1 соответствует зоне Фраунгофера (или дальней зоне), в которой акустический луч «разваливается». Очевидно, что для того чтобы вся акустическая энергия, излученная входным преобразователем, была принята выходным, преобразователи должны быть расположены в ближней зоне друг относительно друга.

Величина угла отклонения потока энергии

Если направление распространения ПАВ не совпадает с так называемым направлением чистой моды (ее угловое положение задается углом ψ0), то наблюдается отклонение потока энергии от направления распространения на угол φ (рисунок 2.3). Угол φ определяется соотношением:


φ =γ(ψ - ψ0)


где γ – параметр анизотропии; ψ – угол, определяющий направление распространение волны.

Желательно выбирать материалы с φ=0, но данное условие не всегда выполнимо. В таком случае управлять отклонением потока энергии можно засчет изменения положения элементов друг относительно друга.


Рисунок 2.3 – Схематическое представление профилей ПАВ при их распространении по монокристаллической подложке


Потери, вызванные отклонением потока энергии существенны и могут достигать 2-6 дБ.

В заключении сформулируем общие требования к идеальному материалу:

- Большой КЭМС;

- Низкая скорость ПАВ;

- Низкий уровень потерь;

- Наличие направлений с нулевым ТКЗ;

В дальнейшем при выборе материала звукопровода будем руководствоваться данными требованиями.

2.1.2 Выбор материала подложки (звукопровода)

В таблице 2.2 в качестве сравнительной характеристики приведены основные параметры материалов акустоэлектроники.


Таблица 2.2 – Основные параметры материалов подложек

Материал

Химическая формула

Ориентация пластины и направление распространения ПАВ

Скорость ПАВ, м/с

Квадрат КЭМС, к2, %

ТКЗ

10-6/○С

Кварц

SiO2

YXl/42○45′ (0○;132○45′; 0○)

3158

0.11

0

37○ - Y

5094

0.1

0

YX

3159

0.19

-24

Ниобат лития

LiNbO3

YZ

3488

4.5

94

128○ - YX

3980

5.3

75

ZXl/41○30′

3999

5.54

72

ZXb/41○30′

3503

5.36

96

41,5○-YX

4000

5.54

72

Танталат лития

LiTaO3

36○-YX

4220

6.6

30

ZY

3329

1.18

-52

ZYs/112○

3295

0.72

-

YZ

3230

0.66

35

YX

3148

0.075

49

77.1○-YZ

3254

0.72

35

Германат висмута

Bi12GeO20

(001), [100]

1681

1.36

115

(111), [110]

1708

1.69

115

Лангасит

La3Ga5SiO14

(0;140;24○)

2736.7

0.37

-0.06

(90;40;-6○)

2535

0.44

-19

(0;138,5;26.6○)

2740

0.44

-

Лангатат

La3Ga5.5Ta0.5O14

XZ

2292

0.0589

-40.6

(0;2;90○)

2210,6

0.423

64.5

Ланганит

La3Ga5.5Nb0.5O14

(30;90;90○)

2376

0.172

-45.5

Берлинит

ALPO4

(0;80,4;0○)

2751

0.63

0

(90;90;80,4○)

2717

0.22

0

(90;90;168.7○)

2926

0.49

0

Арсенид галлия

GaAs

(100), [110]

<2841

<0.06

35

(110), [100]

2822

0.016


Тетраборат лития

Li2B4O7

45○-YZ

3391

1.0


(90;90;90○)

3510

1.2

9

Ортофосфат галлия

GaPO4

(0;110;0○)

2330

0.5

0

(90;5;0○)

2501

0.3


(0;54;5;0○)

2342

0.3

0

SNGS

Sr3NbGa3Si2O14

(0;0;90○)

2835.8

0.628

-98.9

STGS

Sr3TaGa3Si2O14

(0;0;90○)

2733.1

0.562

-73.1

CTGS

Ca3TaGa3Si2O14

(0;0;90○)

2771.6

0.362

-37.1

CNGS

Ca3NbGa3Si2O14

(0;0;90○)

2906.2

0.261

-52.0

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24



2012 © Все права защищены
При использовании материалов активная ссылка на источник обязательна.