Електронні пристрої на напівпровідникових ІМС можуть мати щільність монтажу до 500 елементів у 1 см3 і цей параметр з року в рік зростає.
Контрольні запитання:
1. Які основні конструктивні елементи гібридних ІМС?
2. Які переваги та недоліки гібридних ІМС на відміну від напівпровідникових ІМС?
Інструкційна картка №13 для самостійного опрацювання навчального матеріалу з дисципліни «Основи електроніки та мікропроцесорної техніки»
І. Тема: 2 Електронні прилади
2.5 Гібридні інтегральні мікросхеми
Мета: Формування потреби безперервного, самостійного поповнення знань; розвиток творчих здібностей та активізації розумової діяльності.
ІІ. Студент повинен знати:
- Типи безкорпусних напівпровідникових приладів;
- Способи їх під’єднання.
ІІІ. Студент повинен уміти:
- Класифікувати безкорпусні напівпровідникові прилади.
ІV. Дидактичні посібники: Методичні вказівки до опрацювання.
V. Література: [2, с. 162-163].
VІ. Запитання для самостійного опрацювання:
1. Активні елементи – безкорпусні напівпровідникові прилади
VІІ. Методичні вказівки до опрацювання: Теоретична частина.
VІІІ. Контрольні питання для перевірки якості засвоєння знань:
1. Як класифікуються безкорпусні напівпровідникові прилади?
2. Які існують способи під’єднання виводів до контактних майданчиків?
3. В чому недолік конструкції безкорпусних напівпровідникових приладів?
ІХ. Підсумки опрацювання:
Підготував викладач: Бондаренко І.В.
Теоретична частина: Гібридні інтегральні мікросхеми
План:
1. Активні елементи – без корпусні напівпровідникові прилади
Література
У гібридних інтегральних мікросхемах як активні елементи застосовують дискретні напівпровідникові прилади. За способом герметизації вони діляться на безкорпусні і корпусні. Оскільки безкорпусні прилади мають малі габарити і масу, застосування їх в гібридних інтегральних мікросхемах слід вважати найбільш доцільним і перспективним.
За способом монтажу в мікросхему безкорпусні напівпровідникові прилади можна розділити на дві групи: прилади з гнучкими виводами і прилади з жорсткими об'ємними виводами.
На мал. 8.4 показана одна з типових конструкцій безкорпусного приладу (діодної матриці) з гнучкими виводами. Діаметр дротяних виводів складає зазвичай 30-40 мкм. Виводи до контактних майданчиків під'єднуються різними методами, головними з яких є термокомпресійний і ультразвуковий. Метод термокомпресії заснований на одночасній дії тепла і тиску на область контакту. Метод ультразвукової зварки заснований на одночасній дії коливань ультразвукової частоти, збуджених в зварюваних деталях, і тиску в області зварки. Вібрації високої частоти, руйнуючи плівку оксиду на поверхні розділу металів в області зварки, сприяють підвищенню якості зварного з'єднання.
Мал. 8.4. Діодна матриця з гнучкими виводами
Мал. 8.5. Схема установки транзистора з жорсткими сферичними виводами: 1 – вивід бази; 2 – вивідна колекторі; 3- вивід емітера
Недолік конструкції безкорпусних напівпровідникових приладів з гнучкими виводами полягає в трудності автоматизації процесів установки приладів в мікросхему. Тому при збірці активних елементів широко використовуються прилади з жорсткими виводами. Для них характерна відсутність сполучних провідників, що дозволяє автоматизувати процес зварки мікросхем і підвищити надійність з'єднань. На мал. 8.5. схематично показана структура установки транзистора з жорсткими сферичними (кульковими) виводами. Як матеріал виводів застосовують мідь і срібло. Для запобігання дії зовнішніх чинників кристали напівпровідника в безкорпусних приладах покривають спеціальними захисними покриттями (лаки, емалі, смоли, компаунди і ін.).
Інструкційна картка №14 для самостійного опрацювання навчального матеріалу з дисципліни «Основи електроніки та мікропроцесорної техніки»
2.6 Напівпровідникові інтегральні мікросхеми
- Правила маркування електровакуумних та іонних приладів;
- Область застосування приладів.
- Розшифровувати умовні позначення ламп.
V. Література: [4, с. 214-215].
1. Маркування напівпровідникових інтегральних мікросхем.
1. Що позначає кожен елемент в маркуванні електровакуумних та іонних приладів?
Теоретична частина: Напівпровідникові інтегральні мікросхеми
1. Маркування напівпровідникових інтегральних мікросхем
Система умовних позначень сучасних типів інтегральних мікросхем встановлена ОСТ 11073915-80. У основу системи позначень покладений буквено-цифровий код.
Перший елемент - цифра, що позначає групу інтегральної мікросхеми по конструктивно-технологічному виконанню:
1,5,6,7 - напівпровідникові ІМС; 2,4,8 - гібридні; 3 - інші (плівкові, вакуумні, керамічні).
Другий елемент - дві або три цифри (від 01 до 99 або від 001 до 999), вказують на порядковий номер розробки даної серії ІМС.
Перший і другий елемент утворюють серію мікросхем.
Третій елемент - дві букви, що позначають функціональну підгрупу і вид мікросхеми.
1. Обчислювальні пристрої:
ВЕ - МІКРО-ЕВМ; ВМ - мікропроцесори; ВС - мікропроцесорні секції; ВУ - пристрої мікропрограмного управління; ВР - функціональні розширювачі; ВБ - пристрої синхронізації; ВН - пристрої управління перериванням; ВВ - пристрої управління вводом-виводом; ВТ - пристрої управління пам'яттю; ВФ - функціональні перетворювачі інформації; ВА - пристрої сполучення з магістраллю; ВІ - часозадаючі пристрої; ВХ - мікрокалькулятори; ВГ - контроллери; ВК - комбіновані пристрої; ВЖ - спеціалізовані пристрої; ВП - інші.
2.Генератори сигналів:
ГС - гармонійних; ГГ - прямокутної форми; ГЛ - лінійно - що змінюються; ГМ - шуму; ГФ - спеціальної форми; ГП - інші.
3.Детекторы:
ТАК - амплітудні; ДІ - імпульсні; ДС - частотні; ДФ - фазові; ДП - інші.
4.Пристрої, що запам'ятовують:
РМ - матриці ОЗУ; РУ - ОЗУ; РВ - матриці ПЗП; РЕ - ПЗП; РТ - ПЗП з можливістю одноразового програмування; РР - ПЗП з можливістю багатократного електричного перепрограмування; РФ - ПЗП з ультрафіолетовим стиранням і електричним записом інформації; РА - асоціативні пристрої, що запам'ятовують; РЦ - пристрої, що запам'ятовують, на ЦМД; РП - інші.
5.Джерела вторинного живлення:
ЕМ - перетворювачі; ЕВ - випрямлячі; ЕН - стабілізатори напруги безперервні; ЕТ - стабілізатори струму; ЕК - стабілізатори напруги імпульсні; ЕУ - пристрої управління імпульсними стабілізаторами напруги; ЕС - джерела вторинного живлення; ЕП - інші;
6. Комутатори і ключі:
КТ - струму; КН - напруга; КП - інші;
7.Логічні елементи:
ЛИ - И; ЛЛ - ИЛИ; ЛН - НЕ; ЛС - И-ИЛИ; ЛА - И-НЕ; ЛЕ - ИЛИ-НЕ; ЛР - И-ИЛИ-НЕ; ЛК - И-ИЛИ-НЕ (И-ИЛИ); ЛМ - ИЛИ-НЕ (ИЛИ); ЛБ - И-НЕ / ИЛИ-НЕ; ЛД.
8.Багатофункціональні пристрої:
ХА - аналогові; ХЛ - цифрові; ХК -комбіновані; ГМ - цифрові матриці; ХИ - аналогові матриці ХТ - комбіновані матриці; ХИ - інші.
9.Модуляторы:
МА - амплітудні; MИ - імпульсні; MС - частотні; MФ - фазові; МП - інші.
10.Набори елементів:
НД - діодів; НТ - транзисторів; НР - резисторів; НЕ - конденсаторів; НК - комбіновані; НФ - функціональні; НП - інші.
11.Перетворювачі:
ПС - частоти; ПФ - фази; ПД - тривалість (імпульсів); ПН - напруга; ПМ - потужності; ПУ - рівня (узгоджувачі); ПЛ - синтезатори частоти; ПЕ - дільники частоти аналогові; ПЦ - дільники частоти цифрові; ПА - цифро - аналогові; ПВ - аналого - цифрові; ПР - код - код; ПП - інші.
Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34
