Рис 2. Розподілення пам'яті мікроконтроллера.
Внутрішній ОЗП мікроконтроллеру розташований за адресою 0060h та закінчується 025Fh. Починаючи з адреси 0260h до FFFFh можна адресувати зовнішню пам'ять. На рис. 3 надана структурна схема підключення зовнішнього ОЗП до мікроконтроллеру.
Рис. 3 Структурна схема підключення ОЗП до мікроконтроллера
На відміну від внутрішньої пам'яті доступ до зовнішньої триває довше на 1 такт(або на 2 такти у залежності від налаштовувань). На рис. 4 подана
часова діаграма доступу до зовнішньої пам'яті:
Рис. 4 Часова діаграма доступу до зовнішньої пам'яті.
Робота зовнішнього СОЗП(SRAM) налаштовується за допомогою регістру MCUCR рис 5.
Рис. 5 Опис полів регістру MCUCR
Робота зовнішнього SRAM дозволяється встановленням біту SRE у регістрі MCUCR. За зрівняннями зі зверненням до внутрішньої пам'яті даних, звернення до зовнішньої пам'яті потребує додаткового циклу на кожний байт. Це означає, що для виконання команд LD, ST, LDS, STS, PUSH та POP потрібен додатковий тактовий цикл. Якщо стек розташований у зовнішній SRAM, то для переривання, виклику підпрограм та вертання потрібно буде два додаткових цикла, оскільки в стеку буде зберігатися та відновлятися двубайтовий лічильник команд. Якщо інтерфейс із зовнішньою пам'яттю використовується із станом чекання, то на кожний байт необхідно ще два додаткових тактових цикла. Це призводить до наступного ефекту. Командам пересилання даних необхідно два додаткових тактових цикла, тоді для обробки переривання, виклику підпрограми та при вертанні з підпрограми потрібно на чотири тактових циклу більше, ніж це вказано в описі системи команд.
Встановлений у 1 біт SRE дозволяє звернення до зовнішнього SRAM даних та переводить роботу портів А, С, ліній WR та RD на виконання альтернативної функції, також змінюється напрямок роботи портів. Після встановлення SRE у 0 звертання до зовнішньої пам'яті недозволяється, а напрямок роботи портів встановлюється у читання.
При встановленому у 1 SRW до циклу звертання до зовнішнього SRAM дозволяється один цикл чекання. При скиданні у 0 біті SRW звертання до зовнішнього SRAM виконується за 3 цикли. См. рис. 4 Цикл та звернення до зовнішнього SRAM без стану очікування, та рис. 6 із станом очікування.
Рис.6 Звернення до зовнішньої SRAM зі станом очікування
Рис. 8 Блок схема 8-ми бітного таймеру мікроконтроллеру
Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21