По цій статті враховуються витрати, пов'язані з експлуатацією при проробленні розв'язки спеціального устаткування: комп'ютери, стенди, тестове встаткування й т.п. Розрахунки цих витрат проводиться по формулі:

Вам= kб * На * Дт / Дq,

де:

kб – балансова вартість устаткування, грн.,

На – річна норма амортизації на повне відновлення,

Дт – тривалість експлуатації встаткування при проробленні (дні),

Дq – дійсний (ефективний) річний фонд часу (дні).

Розрахунки витрат на амортизацію

Вам= 150000 * 0.125 ( (80/ 248)= 6050 грн.

Витрати на оплату праці

По статті враховуються виплати по заробітній платі за виконану роботу, обчислені на підставі тарифних ставок і посадових окладів, відповідно до прийнятої в організації-розроблювачі системою оплати праці.

Крім того, по даній статті можуть відбиватися премії за виробничі результати, надбавки й доплати за умови праці, оплата щорічних відпусток, виплата по районних коефіцієнтах і деякі інші витрати.

Взп= Зот * (1 + Кп + Кд + До + Кр),

де:

Зот–  заробітна плата відповідального виконавця по тарифу або окладі за відпрацьований час. (Зот= Тд * Д, де Тд – середньоденна заробітна плата виконавців, грн., Д – кількість днів, відпрацьованих виконавцем при проробленні).

Кп – коефіцієнт преміальних доплат, прийнятий в організації розроблювачі.

Кд – коефіцієнт, що враховує надбавки й доплати за умови праці, прийнятий в організації-розроблювачі.

До – коефіцієнт, що враховує оплату щорічних відпусток, прийнятий в організації-розроблювачі.

Кр – коефіцієнт районних доплат, рівний 0.15.

Розрахунки витрат на оплату праці

Відрахування на соціальні потреби

Стаття враховує відрахування організації-розроблювача в позабюджетні державні фонди (пенсійний фонд, фонд зайнятості, фонд соціального страхування й фонд обов'язкового медичного страхування).

Всн= Взп* Нсн,

де:

Взп – сумарні витрати на оплату праці, грн.

Нсн – норматив відрахувань на соціальні потреби.

Всн= 82640 * 0.39 = 32229,60 грн., округляючи, одержимо:

Всн = 32230 грн.

Накладні витрати.

Стаття враховує витрати організації-розроблювача на зміст апарата керування, що обслуговує персоналу, витрати на охорону, зміст будинків і споруджень, поточний ремонт, витрати на опалення й висвітлення й т.п.

Внр= Взп * Кнр,

де:

Кнр – коефіцієнт накладних витрат, прийнятий в організації-розроблювачі.

Внр = 82640 * 2 = 165280 грн.

Інші витрати

Це стаття передбачає витрати, не передбачені в інших статтях витрат, які можна віднести на дану тему прямим рахунком. Це можуть бути витрати організації-розроблювача, пов'язані з експлуатацією ОЦ, виробничими відрядженнями й т.п.

Він= Взп * Кін,

де:

Кін – коефіцієнт інших витрат, приймемо його рівним 15%.

Він= 82640 * 0.15 = 12396, округляючи, одержимо:

Він= 12400 грн.

8. ТЕХНОЛОГІЧНА ЧАСТИНА. ТЕХНОЛОГІЯ ВИГОТОВЛЕННЯ ПАХ СТРУКТУР

У виробництві пристроїв, що працюють на акустичних хвилях, використається фотолітографічний процес (рис.8.1); приблизно таким же способом виготовляються інтегральні схеми. Єдина різниця полягає в тім, що в акустичних датчиках немає переходів.

Рисунок 8.1 Фотолітографічний процес

При виготовленні акустичних сенсорів найбільше часто використаються наступні п'єзоелектричні підкладки: кварц (Si2), танталат літію (LiTa3) і трохи рідше ніобат літію (LiNb3). У кожного із цих матеріалів є свої переваги й недоліки, пов'язані із ціною, температурною залежністю, загасанням і швидкістю поширення. В таблиці 8 наведено коефіцієнти чутливості деяких матеріалів, за якими можна визначити чутливість частоти (періоду) ПАХ до зовнішніх впливаючих факторів: деформацій eij звукопроводу KeSpeij, його температури DT та обертання основи W:

Df/fn0»KeSpeij+KtDT+Kk×W/fn0–DL/L0.

Таблиця 8

Коефіцієнти чутливості звукопроводу ПАХ

Слід зазначити, що анизотрорпні матеріали, у тому числі й кварц, володіють такою властивістю: температурна залежність матеріалу залежить від кута зрізу й напрямку поширення хвилі. Правильним підбором значень цих параметрів можна мінімізувати температурний ефект першого порядку. Якщо максимізувати цей ефект, то можна сконструювати акустичний датчик температури. Не можна сказати того ж про ніобат й танталат літію, тому що при будь-яких зрізі матеріалу й напрямку поширення хвилі зберігається лінійна температурна залежність. З інших матеріалів, що мають комерційне застосування, слід зазначити: арсенід галію (GaAs), карбід кремнію (Si), лангасит (LGS), оксид цинку (Zn), нітрид алюмінію (Al), п'єзоелектричний титанат свинцю-цирконію (PZT), фторид поливинилидена (PVd).

Для виготовлення датчиків використається фотолітографічний процес (див. рис. 8.1). Зборка починається з полірування й очищення п'єзоелектричної підкладки. Потім на підкладку рівномірно наноситься метал, як правило, алюміній. Потім на пристрій методом центрифугирования наносять фоторезист, а потім його задубливают з метою підвищення міцності. Потім ті області, які повинні бути металізовані в остаточному підсумку, закриваються світлонепроникним папером, і пристрій міститься під ультрафіолетове випромінювання. В опромінених зонах відбуваються хімічні зміни, після яких їх легко видалити за допомогою проявника. Нарешті, видаляється фоторезист, що залишився. Малюнок металу, що залишився, і є зустрічно-штировий перетворювач. Ефективність сенсора можна максимізувати за допомогою зміни довжини, ширини, товщини й розташування перетворювача.

Фотолітографія, спосіб формування рельєфного покриття заданої конфігурації за допомогою фоторезисту (спеціальний матеріал, що змінює свої фізико-хімічні властивості при опроміненні світлом). Фотолітографія звичайно включає:

1) нанесення фоторезисту на метал, діалектик або напівпровідник методами центрифугування, напилювання або сублімації;

2) сушіння фоторезисту при 90-110 0C для поліпшення його адгезії до підкладки;

3) експонування фоторезисту видимим або УФ випромінюванням через фотошаблон (стекло, кварц й ін.) із заданим малюнком для формування схованого зображення; здійснюється за допомогою ртутних ламп (при контактному способі експонування) або лазерів;

4) прояв (візуалізацію) схованого зображення шляхом видалення фоторезисту з опроміненої (позитивне зображення) або неопроміненої (негативне) ділянки шару вимиванням водно-лужними й органічними розчинниками або сублімацією в плазмі високочастотного розряду;

5) термічну обробку (дублення) отриманого рельєфного покриття (маски) при 100-200 0C для збільшення його стійкості при травленні;

б) травлення ділянок вільної поверхні травителями кислотного типу (напр., на основі HF, NH4F або CH3COOH) або сухими методами (напр., галогеновмісткою плазмою);

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11