Банк Рефератов - Активные компоненты в программном пакете MicroCAP-7

Главная: Рефераты

Рефераты. Активные компоненты в программном пакете MicroCAP-7

Рис. 2. Модель биполярного транзистора

2. Арсенид-галлиевый полевой транзистор (GaAsFET)

Формат схем МС7:

Атрибут PART: <имя>

Атрибут VALUE: [Area] [OFF] [IC=<Vds>[,Vgs]]

Атрибут MODEL: [имя модели]

Параметр Area задает коэффициент кратности для учета подключения нескольких параллельных транзисторов (параметры модели транзистора умножаются или делятся на эту величину). Параметр IC (Initial Conditions) задает начальное напряжение сток-исток Vds и затвор-сток Vgs при расчете переходных процессов, если на панели Transient Analysis Limits выключена опция Operating Point. Включение ключевого слова OFF исключает транзистор из схемы при проведении первой итерации расчета режима по постоянному току.

Модель арсенид-галлиевого полевого транзистора задается в виде:

.MODEL <имя модели>GASFET [(параметры модели)]

Арсенид-галлиевые полевые транзисторы (GaAsFET) являются приборами с каналом n-типа и имеют три модели, предложенные Куртисом (Curtice), Рэйтеоном (Raytheon) и TriQuint модель. Модель Куртиса дает удовлетворительные результаты лишь при расчете статического режима. Остальные модели отражают и динамические характеристики арсенид-галлиевого транзистора. Параметры трех математических моделей приведены в табл. 3.

Таблица 3. Параметры модели арсенид-галлиевого транзистора

Обозначение	Параметр	Значение по умолчанию	Единица измерения
LEVEL	Тип модели: 1 -- модель Куртиса, 2 -- модель Рэйтеона, 3 -- модель TriQuint	1
VTO	Барьерный потенциал перехода Шоттки или пороговое напряжение	-2,5	В
ALPHA	Коэффициент для напряжения насыщения тока стока	2,0	1/В
В	Параметр легирования (Level=2)	0,3	1/В
BETA	Удельная крутизна (удельная передаточная проводимость)	0,1	А/В2
LAMBDA	Параметр модуляции длины канала	0	1/В
GAMMA	Параметр статической обратной связи (для Level=3)	0
DELTA	Параметр выходной обратной связи (для Level=3)	0	(АВ)-1
Q	Показатель степени (для Level=3)	2	--
RG	Объемное сопротивление области затвора	0	Ом
RD	Объемное сопротивление области стока	0	Ом
RS	Объемное сопротивление области истока	0	Ом
CGD	Емкость затвор-сток при нулевом смещении	0	Ф
CGS	Емкость затвор-исток при нулевом смещении	0	Ф
CDS	Емкость сток-исток фиксированная	0	Ф
IS	Ток насыщения р-n-перехода затвор-канал	1E-14	А
M	Коэффициент плавности p-n-перехода затвора	0,5
N	Коэффициент эмиссии p-n-перехода затвор-канал	1	--
FC	Коэффициент нелинейности барьерной емкости прямосмещенного p-n-перехода затвора	0,5
VBI	Контактная разность потенциалов р-n-перехода затвора	1	В
EG	Ширина запрещенной зоны	1,11	эВ
XTI	Температурный коэффициент тока IS	0
VDELTA	Напряжение, входящее в выражения для емкостей переходов (для Level=2 и 3)	0,2	В
VMAX	Максимальное напряжение, входящее в выражения для емкостей переходов (для Level=2 и 3)	0,5	В
VTOTC	Температурный коэффициент VTO	0	В/°С
ВЕТАТСЕ	Температурный экспоненциальный коэффициент BETA	0	%/C
TRG1	Линейный температурный коэффициент RG	0	1/°С
TRD1	Линейный температурный коэффициент RD	0	1/°С
TRS1	Линейный температурный коэффициент RS	0	1/°С
KF	Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкер-шума	0
AF	Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкер-шума от тока через переход	1
T_MEASURED	Температура измерения	--	°С
T_ABS	Абсолютная температура	--	°С
T_REL_GLOBAL	Относительная температура	--	°С
T_REL_LOCAL	Разность между температурой транзистора и модели-прототипа		°С

Рис. 4. Модель арсенидгаллиевого полевого транзистора

3. Полевой транзистор (JFET)

Формат схем МС:

Атрибут PART: <имя>

Атрибут VALUE: [Area] [OFF] [IC=<Vds>[,Vgs]]

Атрибут MODEL: [имя модели]

Параметр Area задает коэффициент кратности для учета подключения нескольких параллельных транзисторов (параметры модели транзистора умножаются или делятся на эту величину). Параметр IC задает начальное напряжение сток-исток Vds и затвор-сток Vgs при расчете переходных процессов, если на панели Transient Analysis Limits выключена опция Operating Point. Включение ключевого слова OFF исключает транзистор из схемы при проведении первой итерации расчета режима по постоянному току. Модель полевого транзистора задается в виде:

.MODEL <имя модели> NJF [(параметры модели)]

.MODEL <имя модели> PJF [(параметры модели)]

Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом описываются моделью Шихмана-Ходжеса.

Таблица 5. Параметры модели полевого транзистора

Обозначение	Параметр	Значение по умолчанию	Единица измерения
VTO	Пороговое напряжение	-2	В
BETA	Коэффициент пропорциональности (удельная передаточная проводимость	1E-4	А/В2
LAMBDA	Параметр модуляции длины канала	0	1/В
IS	Ток насыщения р-n-перехода затвор-канал	1E-14	А
RD	Объемное сопротивление области стока	0	Ом
RS	Объемное сопротивление области истока	0	Ом
CGD	Емкость перехода затвор-сток при нулевом смещении	0	Ф
CGS	Емкость перехода затвор-исток при нулевом смещении	0	Ф
M	Коэффициент плавности перехода затвор-исток	0,5
FC	Коэффициент нелинейности емкостей переходов при прямом смещении	0,5	"
PB	Контактная разность потенциалов р-n-перехода затвора	1	В
VTOTC	Температурный коэффициент VTO	0	В/°С
ВЕТАТСЕ	Температурный экспоненциальный коэффициент BETA	0	%/°С
XTI	Температурный коэффициент тока IS	3	--
KF	Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкер-шума	0
AF	Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкер-шума от тока	1
T_MEASURED	Температура измерения	--	°С
T_ABS	Абсолютная температура	--	°С
T_REL_GLOBAL	Относительная температура	--	°С
T_REL_LOCAL	Разность между температурой транзистора и модели-прототипа		°С

Страницы: 1, 2, 3, 4