Рефераты. Активные компоненты в программном пакете MicroCAP-7

Активные компоненты в программном пакете MicroCAP-7

Содержание

Введение

1. Биполярный транзистор (Bipolar transistor -- BJT)

2. Арсенид-галлиевый полевой транзистор (GaAsFET)

3. Полевой транзистор (JFET)

4. МОП-транзистор (MOSFET)

5. Операционный усилитель (ОРАМР)

Заключение

Список литературы

Введение

В программе МС7 используются в большинстве случаев (за исключением модели нелинейного магнитного сердечника) те же математические модели полупроводниковых приборов, что и программа PSpice. При необходимости полную информацию по моделям активных приборов (включая и формулы по которым производится расчет при моделировании), можно взять из (на русском языке) и из (на английском языке, есть файл в формате pdf). Появился также фрагмент перевода на русский, касающийся моделей активных приборов.

1. Биполярный транзистор (Bipolar transistor -- BJT)

Формат схем МС7:

Атрибут PART: <имя>

Атрибут VALUE: [Area] [OFF] [IC=<Vbe>[,Vce]]

Атрибут MODEL: [имя модели]

Модели биполярных транзисторов задаются в виде

.MODEL <имя модели> NPN [(параметры модели)]

.MODEL <имя модели> PNP [(параметры модели)]

Параметр Area задает коэффициент кратности для учета подключения нескольких параллельных транзисторов (параметры модели транзистора умножаются или делятся на эту величину). Параметр IC (Initial Conditions) задает начальное напряжение база-эмиттер Vbe и коллектор-эмиттер Vсе при расчете переходных процессов, если на панели Transient Analysis Limits выключена опция Operating Point. Включение ключевого слова OFF исключает транзистор из схемы при проведении первой итерации расчета режима по постоянному току.

В программе МС7 используется схема замещения биполярного транзистора в виде модели Гуммеля-Пуна, которая автоматически упрощается до более простой модели Эберса-Молла, если опустить некоторые параметры. Список параметров полной математической модели биполярного транзистора приведен в табл. 1.

Таблица 1. Параметры модели биполярного транзистора

Имя параметра

Параметр

Значение по умолчанию

Единица измерения

IS

Ток насыщения при температуре 27°С

1E-16

А

BF

Максимальный коэффициент усиления тока в нормальном режиме в схеме с ОЭ (без учета токов утечки)

100

BR

Максимальный коэффициент усиления тока в инверсном режиме в схеме с ОЭ

1

NF

Коэффициент эмиссии (неидеальности) для нормального режима

1

NR

Коэффициент эмиссии (неидеальности) для инверсного режима

1

ISE*

Ток насыщения утечки перехода база-эмиттер

0

А

ISC*

Ток насыщения утечки перехода база-коллектор

0

А

ISS

Ток насыщения p-n перехода подложки

0

А

NS

Коэффициент эмиссии тока p-n-перехода подложки

IKF*

Ток начала спада зависимости BF oт тока коллектора в нормальном режиме

А

IKR*

Ток начала спада зависимости BR от тока эмиттера в инверсном режиме

А

NE*

Коэффициент эмиссии тока утечки эмиттерного перехода

1,5

NC*

Коэффициент эмиссии тока утечки коллекторного перехода

2

NK

Коэффициент перегиба при больших токах

0.5

VAF

Напряжение Эрли в нормальном режиме

В

VAR*

Напряжение Эрли в инверсном режиме

В

RC

Объемное сопротивление коллектора

0

Ом

RE

Объемное сопротивление эмиттера

0

Ом

RB

Объемное сопротивление базы (максимальное) при нулевом смещении перехода база-эмиттер

0

Ом

RBM*

Минимальное сопротивление базы при больших токах

RB

Ом

IRB*

Ток базы, при котором сопротивление базы уменьшается на 50% полного перепада между RB и RBM

А

TF

Время переноса заряда через базу в нормальном режиме

0

с

TR

Время переноса заряда через базу в инверсном режиме

0

с

XTF

Коэффициент, определяющий зависимость TF от смещения база-коллектор

0

VTF

Напряжение, характеризующее зависимость TF от смещения база-коллектор

В

ITF

Ток, характеризующий зависимость ТF от тока коллектора при больших токах

0

А

PTF

Дополнительный фазовый сдвиг на граничной частоте транзистора

0

град.

CJE

Емкость эмитгерного перехода при нулевом смещении

0

пФ

VJE (РЕ)

Контактная разность потенциалов перехода база-эмиттер

0,75

В

MJE (ME)

Коэффициент, учитывающий плавность эмиттерного перехода

0,33

CJC

Емкость коллекторного перехода при нулевом смещении

0

Ф

VJC (PC)

Контактная разность потенциалов перехода база-коллектор

0,75

В

MJC(MC)

Коэффициент, учитывающий плавность коллекторного перехода

0,33

CJS (CCS)

Емкость перехода коллектор-подложка при нулевом смещении

0

Ф

VJS (PS)

Контактная разность потенциалов перехода коллектор-подложка

0,75

В

MJS (MS)

Коэффициент, учитывающий плавность перехода коллектор-подложка

0

XCJC

Коэффициент расщепления барьерной емкости база-коллектор по отношению к внутренней базе

1

~

FC

Коэффициент нелинейности барьерных емкостей прямосмещенных переходов

0,5

EG

Ширина запрещенной зоны

1,11

эВ

XTB

Температурный коэффициент BF и ВR

0

--

XTI(PT)

Температурный экспоненциальный коэффициент для тока IS

3

--

TRE1

Линейный температурный коэффициент RE

0

C-1

TRE2

Квадратичный температурный коэффициент RЕ

0

C-2

TRB1

Линейный температурный коэффициент RВ

0

C-1

TRB2

Квадратичный температурный коэффициент RB

0

C-2

TRM1

Линейный температурный коэффициент RВМ

0

C-1

TRM2

Квадратичный температурный коэффициент RВМ

0

C-2

TRC1

Линейный температурный коэффициент RС

0

C-1

TRC2

Квадратичный температурный коэффициент RС

0

C-2

KF

Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкер-шума

0

AF

Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкер-шума от тока через переход

1

T_MEASURED

Температура измерений

--

°С

T_ABS

Абсолютная температура

--

°С

T_REL_GLOBAL

Относительная температура

--

°C

T_REL_LOCAL

Разность между температурой транзистора и модели-прототипа

°C

* Для модели Гуммеля-Пуна.

Страницы: 1, 2, 3, 4



2012 © Все права защищены
При использовании материалов активная ссылка на источник обязательна.