Рефераты. Охоронна сигналізація з GSM-каналом

(4.6)


 - максимальний діаметр просвердленого отвору;  - ширина поясу навколо контактної площадки; - похибка розташування центра отвору відносно вузла координатної сітки;  - похибка розташування центра контактної площадки щодо вузла кординатної сітки;


(4.7)


 - допуск на діаметр отвору;

;

;

;

5. Визначення ширини провідника.


(4.8)


 - граничне значення для 3-го класи точності;

6. Визначення мінімальної відстані між провідником і контактною площадкою.


(4.9)


 - відстань між центрами елементів (крок координатної сітки); - максимальний діаметр контактної площадки;  - максимальна ширина провідника;  - похибка розташування центра контактної площадки відносно вузла координатної сітки;  - похибка зсуву провідника відносно координатної сітки.


Рис. 4.2


7. Визначення мінімальної відстані між двома сусідніми провідниками.


(4.10)


8. Визначення мінімальної відстані між двома сусідніми контактними площадками.


(4.11)


;

9. Визначення відстані між провідником і контактною площадкою (у випадку, якщо провідник проходить між двома контактними площадками):


(4.12)


Розраховане значення  більше ніж значення , що визначено третім класом, тому провідник, прокладений між двома контактними площадками, не буде дотикатися жодної контактної площадки.

Розраховані елементи друкованого монтажу відповідають обраному класу точності монтажу. У цьому можна переконатися за даними порівняльної таблиці 4.1.


Таблиця 4.1 Розраховані параметри


Розраховане значення

Граничне значення для 3-го класи точності монтажу

bпр

0,35 мм

0,25 мм

Smin

0,21 мм; 0,8 мм; 0,9 мм; 0,33 мм

0,25 мм

bП0

0,1 мм

0,1 мм

Кдт

0,8 мм/1,5 мм = 0,53

0,33



5. Електричний розрахунок друкованої плати

1. Визначимо припустимий спад напруги на друкованому провіднику:


(5.1)


де ; ; ; ;

2. Визначимо потужність втрат в ДП:


(5.2)


де  - оскільки розрахунок ведемо на постійному струму;  - напруга живлення; - тангенс кута діелектричних втрат.


(5.3)


- діелектрична проникність матеріалу; ; - товщина ДП; - площа металізації; ;

.

3. Визначимо паразитну ємність між двома сусідніми провідниками, розташованими з одного боку ДП:

а) для випадку, коли обидва провідники перебувають в одному шарі:


Спар = Кп∙ ε∙ L1

(5.4)


де Кп - коефіцієнт пропорційності, пФ/см (в нашому випадку Кп=0,15); ε - діелектрична проникність середовища (в нашому випадку ε =5,5); L1 - довжина взаємного перекриття провідників, см (в нашому випадку L1 =5)

Тоді:

Спар = Кп∙ ε∙ L1 =0,15.5,5.5=4,22 пФ;

б) у випадку, коли два провідники знаходяться в різних шарах:


Спар = Кп∙ ε∙ L1

(5.5)


де Кп - коефіцієнт пропорційності, пФ/см (в нашому випадку Кп=0,2); ε - діелектрична проникність середовища (в нашому випадку ε =5,5); L1 - довжина взаємного перекриття провідників, см (в нашому випадку L1 =1,27).

Тоді:

Спар = Кп∙ ε∙ L1 =0,2.5,5.1,27=1,39 (пФ)

4. Визначимо паразитну індуктивність шини живлення й шини «земля»:


 [мкГн]

(5.6)


де lп – довжина максимальної області (довжина шини живлення); bnp = 0,35 мм – ширина провідника; tnp = 0.0965 мм - товщина провідника.

Тоді

Таким чином, розроблена ДП задовольняє заданим умовам, оскільки отримані розрахункові значення найважливіших електричних параметрів не перевищують припустимих значень для ДДП.




6. Розрахунок теплового режиму


Метою даного розрахунку є перевірка необхідності використання додаткових елементів (радіаторів) для розсіювання тепла, що виділяється елементами схеми.

Розрахунок теплового режиму для контролера АТ89С2051 і АТTINY2313.

Контролери мають наступні параметри (таблиця 6.1):


Таблиця 6.1 Параметри мікроконтролерів

Контролер

Струм споживання Iспож, мА

Напруги U, В

Припустима температура кристала мікросхеми Tдоп. ºС

Тепловий опір пластмасового корпусу Rтепл. пл. ºС / Вт

АТ89С2051

25

6,6

85

110

АТTINY2313

20

5,5

85

110


Отже розсювана потужність:

Pроз АТ89С2051= I. U = 6,6.25 = 165 (мВт)

Pроз АТTINY2313= I. U = 5,5.20 = 110 (мВт)

Для розрахунку приймемо максимальну температуру з технічного завдання Tокр..= 40 ºС.

Розрахуємо температуру кристала:


Tкр. =Tокр..+ Pрас. × Rтепл. пл

(6.1)


Tкр АТ89С2051.= 40 + 0,165 ×110 = 58,15ºС

Tкр АТTINY2313.= 40 + 0,11 ×110 = 52,1ºС

Оскільки Tкр. < Tдоп., то корпус мікросхеми розсіює задану потужність без перегріву і в додаткових засобах тепловідводу потреби немає.


7. Розрахунок на віброміцність

Віброміцність - здатність пристрою протистояти протягом терміну служби прискоренням, що виникають при руйнівній дії вібрації в заданих діапазонах частот.

Вібростійкість - здатність пристрою виконувати свої функції в умовах вібрації в заданих діапазонах частот і прискореннях, що виникають при цьому.

Визначимо віброміцність спроектованої ДП зі склотекстоліту розміром 80×62.5×1,5 мм. Вважаємо, що радіоелементи на ДП розміщені рівномірно.

1.        Визначення маси ДП і маси ЕРЕ:


mпп = abδппρст,

(7.1)


де a, b - геометричні розміри плати (а = 0,08 м, b = 0,0625 м); δпп – товщина ДП (δст = 1,5 мм); ρст – щільність склотекстоліту (ρст = 2050 кг/м3);

mпп = 0.0625.0.08.0.0015.2050 =15,4 10-3 кг = 15,4 г.

Конструктивні елементи представлені в таблиці 7.1.

2. Визначимо коефіцієнт впливу Кв, що враховує співвідношення маси ЕРЕ й маси плати:


(7.2)



3. Визначимо, коефіцієнт α, вважаючи, що ДП шарнірно опирається по контуру:


,

(7.3)


де a, b - геометричні розміри плати, а = 0,08 м, b = 0,0625 м

 
Таблиця 7.1 Розрахунок загальної маси елементів

Найменування елемента

Тип елемента

Кількість, шт.

Маса, г

1

2

3

4

Діоди

1N4007

7

7*0,24 = 1.68

1N4148

2

2*0,24 = 0,48

Стабілізатор

78L05

1

3

Конденсатори




- електролітичні

ECR

2

2*1,2 = 2,4

- керамічні

C 0603

10

10*0,3 = 3

Резистори

R 0805–0,125Вт

19

19*0,25=4,75

Мікроконтролер

АТ89С2051

1

4

ATTINY2313

1

4

Кварцовий резонатор

KX-3Н

1

4

HC 49U

1

4

Світлодіоди

GNL-014SRD, GNL-3014

2

2*0,15=0,3

Перемикачі

SWD 1–4

1

3

Кнопки

PS580L/N

1

3

Транзистори

2N3904A

2

2*0,35=0,7

BSS295

2

2*0,35=0,7

Роз’єми

PLS-6

1

2

PLS-8

1

3

STB 1–12

1

5

Батарея

Крона

1

10



Σ

59,01

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11



2012 © Все права защищены
При использовании материалов активная ссылка на источник обязательна.