Во-первых при использовании 440LX не гарантировалось, что при частоте шины более 66 МГц система будет работоспособна. Проблема заключалась в том, что для получения несущей частоты на шине PCI использовался делитель 2 относительно шины и при установке внешних 75 МГц, на PCI получалось 37,5
МГц, что на 15% выше стандарта, при установке внешних 83 МГц — на PCI было
41,5 МГц, то есть выше нормы на 25%. При этом многие PCI–карты, в особенности SCSI–контроллеры, теряли свою работоспособность. Теперь таких проблем не будет. Хотя, при этом периферия разгоняться не будет совсем, и скорость видео и жесткого диска при разгоне не возрастет.

Чипсет Intel 440BX поддерживает кроме делителя 2 для PCI еще и делитель
3, который применяется на внешних частотах выше 100 МГц включительно. Так что если, все-таки материнская плата позволяет установить 75 и 83 МГц, то по сравнению с 440LX Вы ничего не потеряете. Однако, некоторые LX–платы имели установку 92 МГц. Такого с BX пока не будет.

Второе, на этот раз неоспоримое преимущество 440BX, заключается в том, что этот чипсет будет поддерживать все выходящие процессоры Deschutes с большими внутренними частотами.

Однако и существующие в настоящее время Pentium–II процессоры будут работать на материнских платах с набором логики Intel 440BX, что немаловажно. Это возможно, так как частотозависимый L2-кеш в Pentium II тактуется от внутренней частоты, а не от шины.

Что же станет с производительностью? Те тесты, которые мы проводили с
Socket 7–процессорами, на предмет исследования эффективности
100–мегагерцовой шины, показали 15–процентный прирост производительности на одинаковых внутренних частотах, но с внешними 66 и 100 МГц. Но не надо забывать о том, что используя 100 МГц на Socket-7, мы разгоняем и внешний кэш. В 440ВХ, L2-кеш не ускоряется, поэтому прирост производительности при применении 100–мегагерцовой шины составит, по нашим оценкам, не более 7%.
Возможно, некоторые материнские платы на чипсете ВХ будут иметь недокументированно–устанавливаемую частоту 150 МГц. Если так, то прирост может оказаться побольше. Но в любом случае, уже через год будет вовсю применяться системная шина 200 МГц, которая будет поддержана процессором
Katmai, что вполне возможно благодаря новому типу памяти RAMBUS, которая способна работать на такой частоте.

Пока же, проблема с памятью приобретает особый вес и не может быть обойдена. Дело в том, что существующая сейчас память работает на 100 МГц с большим трудом. Intel хочет добиться внедрения спецификации PC100 на память, которая требует специально изготовленных модулей. Однако, эксперименты показали, что на 100 МГц может прекрасно работать любая память со временем доступа 7 нс или брендовая память со временем доступа 10 нс.
Правда, тут есть одна тонкость. Спецификация PC100 требует наличия SPD на модуле. При его отсутствии, система может не работать вовсе, примерно как сейчас это делают интеловские платы на чипсете 440LX. Но, к счастью, SPD используется не чипсетом, а BIOS, который, в принципе, может к SPD и не обращаться. Так что в этом вопросе вся надежда на производителей материнских плат, чтобы они не начали рьяно исполнять интеловскую рекомендацию.

Так что ничего революционно нового в Intel 440BX нет. А вот что действительно интересно, это новый IDE–контроллер PIIX6, который появится через несколько месяцев. А это Firewire и UltraDMA-66.

Оперативная память

Системная память: взгляд в будущее

До 2000 года в мир персональных компьютеров войдет несколько новых архитектур высокоскоростной памяти. В настоящее время, с конца 1997 года по начало 1998 основная память PC осуществляет эволюцию от EDO RAM к SDRAM — синхронную память, которая, как ожидается будет доминировать на рынке с конца 1997 года. Графические и мультимедийные системы в которых сегодня применяется RDRAM перейдет к концу года на Concurrent (конкурентную) RDRAM.
Итак, в период между 1997 и 2000 годом будут развиваться пять основных технологий:

- SDRAM II (DDR);

- SLDRAM (SyncLink);

- RAMBus (RDRAM);

- Concurrent RAMBus;

- Direct RAMBus.

График, приведенный ниже, приближенно демонстрирует время появления и применения будущих технологий памяти.

[pic]

Крайне сложно предсказать, на чем остановится прогресс. Все десять крупнейших производителей памяти, такие как Samsung, Toshiba и Hitachi, разрабатывающие Direct RDRAM, также продолжают развивать агрессивную политику, направленную на развитие альтернативных технологий памяти следующих поколений, таких как DDR и SLDRAM. В связи с этим образовалось любопытное объединение конкурентов.

Необходимость увеличения производительности системы памяти.

Быстрое развитие аппаратных средств и программного обеспечения привело к тому, что вопрос эффективности встает на первое место. Фактически, несколько лет назад, Гордон Мур, президент корпорации Intel, предсказал, что мощность центрального процессора в персональном компьютере будет удваиваться каждые 18 месяцев (Закон Мура). Мур оказался прав. С 1980 года до настоящего момента тактовая частота процессора Intel, установленного в персональном компьютере возросла в 60 раз (с 5 до 300MHz). Однако, за то же время, частота, на которой работает системная память со страничной организацией (FPM), возросла всего в пять раз. Даже применение EDO RAM и
SDRAM увеличило производительность системы памяти всего в десять раз. Таким образом, между производительностью памяти и процессора образовался разрыв.
В то время как процессоры совершенствовались в архитектуре, производство памяти претерпевало лишь технологические изменения. Емкость одной микросхемы DRAM увеличилась с 1Мбит до 64Мбит. Это позволило наращивать объем применяемой в компьютерах памяти, но изменения технологии в плане увеличения производительности DRAM не произошло. То есть, скорость передачи не увеличилась вслед за объёмом.

Что касается потребностей, то вследствие применения нового программного обеспечения и средств мультимедиа, потребность в быстродействующей памяти нарастала. С увеличением частоты процессора, и дополнительным использованием средств мультимедиа новым программным обеспечением, не далек тот день, когда для нормальной работы PC будут необходимы гигабайты памяти.
На этот процесс также должно повлиять внедрение и развитие современных операционных систем, например Windows NT.

Чтобы преодолеть возникший разрыв, производители аппаратных средств использовали различные методы. SRAM (Static RAM) применялся в кэше для увеличения скорости выполнения некоторых программ обработки данных. Однако для мультимедиа и графики его явно недостаточно. Кроме того, расширилась шина, по которой осуществляется обмен данными между процессором и DRAM.
Однако теперь эти методы не справляются с нарастающими потребностями в скорости. Теперь на первое место выходит необходимость синхронизации процессора с памятью, однако, существующая технология не позволяет осуществить этот процесс.

Следовательно, возникает необходимость в новых технологиях памяти, которые смогут преодолеть возникший разрыв. Кроме SDRAM, это DDR, SLDRAM,
RDRAM, Concurrent RDRAM, и Direct RDRAM.

Шесть технологий памяти будущего. Определения

SDRAM Synchronous (синхронная) DRAM синхронизирована с системным таймером, управляющим центральным процессором. Часы, управляющие микропроцессором, также управляют работой SDRAM, уменьшая временные задержки в процессе циклов ожидания и ускоряя поиск данных. Эта синхронизация позволяет также контроллеру памяти точно знать время готовности данных. Таким образом, скорость доступа увеличивается благодаря тому, что данные доступны во время каждого такта таймера, в то время как у

EDO RAM данные бывают доступны один раз за два такта, а у

FPM — один раз за три такта. Технология SDRAM позволяет использовать множественные банки памяти, функционирующие одновременно, дополнительно к адресации целыми блоками.

SDRAM уже нашла широкое применение в действующих системах.
SDRAM II (DDR) Synchronous DRAM II, или DDR (Double Data Rate — удвоенная скорость передачи данных) — следующее поколение существующей SDRAM. DDR основана на тех же самых принципах, что и SDRAM, однако включает некоторые усовершенствования, позволяющие еще увеличить быстродействие. Основные отличия от стандартного SDRAM: во-первых используется более

«продвинутая» синхронизация, отсутствующая в SDRAM; а во- вторых DDR использует DLL (delay–locked loop — цикл с фиксированной задержкой) для выдачи сигнала DataStrobe, означающего доступность данных на выходных контактах.

Используя один сигнал DataStrobe на каждые 16 выводов, контроллер может осуществлять доступ к данным более точно и синхронизировать входящие данные, поступающие из разных модулей, находящихся в одном банке. DDR фактически увеличивает скорость доступа вдвое, по сравнению с SDRAM, используя при этом ту же частоту. В результате, DDR позволяет читать данные по восходящему и падающему уровню таймера, выполняя два доступа за время одного обращения стандартной SDRAM. Дополнительно, DDR может работать на большей частоте благодаря замене сигналов TTL/LVTTL на

SSTL3. DDR начнет производиться в 1998 году.
SLDRAM (SyncLink) продукт DRAM–консорциума, является ближайшим конкурентом Rambus. Этот консорциум объединяет двенадцать производителей DRAM. SLDRAM продолжает дальнейшее развитие технологии SDRAM, расширяя четырёхбанковую архитектуру модуля до шестнадцати банков. Кроме того, добавляется новый интерфейс и управляющая логика, позволяя использовать пакетный протокол для адресации ячеек памяти. SLDRAM передает данные так же как и RDRAM, по каждому такту системного таймера. SLDRAM в настоящее время находится в стадии разработки, а промышленное производство ожидается в

1999 году.
RDRAM многофункциональный протокол обмена данными между микросхемами, позволяющий передачу данных по упрощенной шине, работающей на высокой частоте. RDRAM представляет собой интегрированную на системном уровне технологию. Ключевыми элементами RDRAM являются: модули DRAM, базирующиеся на

Rambus; ячейки Rambus ASIC (RACs); схема соединения чипов, называемая Rambus Channel.

Rambus

Rambus, впервые использованный в графических рабочих станциях в 1995 году, использует уникальную технологию RSL (Rambus Signal Logic — сигнальная логика Rambus), позволяющую использование частот передачи данных до 600MHz на обычных системах и материнских платах. Существует два вида
Rambus — RDRAM и Concurrent RDRAM. Микросхемы RDRAM уже производятся, а
Concurrent RDRAM будет запущена в производство в конце 1997 года. Третий вид RDRAM — Direct RDRAM, находится в стадии разработки, а начало его производства планируется в 1999 году.

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22