Рефераты. Полупроводниковые датчики температуры

получения их номинальной статистической характеристики из-за разброса

основных параметров транзисторов: коэффициента усиления по току,

сопротивления базовой области, тока утечки и др. Анализ и оценка влияния

разброса указанных параметров на точность измерения температуры при

использовании номинальной статистической характеристики, выполненные в [5],

показали, что для прямых параметров транзисторов с градуировкой при одной

температуре погрешность измерения в схеме с общим эмиттером – не более 2 и

50% при коэффициенте усиления по току ((30 и ((200 соответственно.

Важной характеристикой для широкого внедрения термодатчиков на основе

транзисторов и диодов является стабильность их параметров. Результаты

исследования долговременной стабильности термодатчиков на основе

транзисторов с температурозависимым параметром – прямым напряжением на p-n

переходе в зависимости от температуры и длительности эксплуатации,

приведенные в (6( показывают, что погрешность измерения ими может

составлять (0,01…0,15) К в первый год эксплуатации и (0,002…0,04) К - во

второй год. Основными причинами нестабильности следует считать обратимый

процесс гидратации-дегидратации оксидного слоя на поверхности

полупроводникового кристалла и возникновение остаточных деформаций в нем

вследствие неодинаковости температурных коэффициентов линейного расширения

материалов деталей транзисторов [6].

2. Датчики температуры на основе терморезисторов.

Наиболее широкое распространение получили датчики на основе

терморезисторов. Принцип терморезистивного преобразования основан на

температурной зависимости активного сопротивления металлов, сплавов и

полупроводников, обладающих высокой воспроизводимостью и достаточной

стабильностью по отношению к дестабилизирующим факторам. Температурную

чувствительность термометрического материала принято характеризовать

температурным коэффициентом сопротивления (ТКС). Типичные случаи поведения

термометрической зависимости представлены на рис. 1.

Как видно из рисунка, полупроводниковые терморезистивные

преобразователи отличаются достаточно большой чувствительностью (на порядок

и больше) нежели металлические.

Достаточно давно разработаны и выпускаются отечественной

промышленностью полупроводниковые датчики температуры с чувствительными

элементами, созданными на основе окислов переходных металлов с неполностью

заполненной 3d электронной оболочкой. Достоинством таких датчиков (обычно

называемых терморезисторами) является большое значение температурного

коэффициента сопротивления и сравнительно малые размеры [2,6,7]. В

зависимости от применяемого полупроводникового материала терморезисторы

разделяют на кобальто-марганцевые (КМТ и СТ1), медно-марганцевые (ММТ и

СТ2), медно-кобальтовые (СТ3 и СТ4) и титано-бариевые, имеющие малый допуск

по сопротивлению и ТКС (позисторы СТ5 и СТ6).

Изменяя состав материала чувствительного элемента, можно получить

терморезисторы как с положительным, так и с отрицательным значением ТКС в

пределах от –6,5 до +20 %/К [7]. Номинальные сопротивления чувствительных

элементов зависят от их состава и размеров и могут находиться в пределах от

1 до 106 Ом. Высокое номинальное сопротивление терморезисторов упрощает

требования к системе терморегулирования, что позволяет ограничиться

двухпроводной линией связи датчика с системой регулирования и уменьшает

погрешность преобразования, обусловленную длиной линией связи.

Зависимость сопротивления от температуры описывается выражением (6(:

Рис.1. Зависимость ТКС от температуры для различных терморезисторов.

1 – металлические терморезисторы;

2 – полупроводниковые терморезисторы (термисторы);

3 - сегнетоэлектрические керамики (позисторы).

RT = Aexp(B/T),

(3)

где RT – сопротивление терморезистора при температуре Т; А,В – постоянные

коэффициенты, зависящие от материала терморезистора и номинального значения

его сопротивления. Это соотношение обеспечивает высокую точность

аппроксимации только в узком диапазоне температур. Так например, для

терморезисторов типа СТ4-16 погрешность аппроксимации не более (0,05 К

обеспечивается только в диапазоне (15…55) (С. Лучшие результаты дают

уравнения типа:

RT = A1exp(B1/T + C1/T2) ;

(4)

1/T = A2 + B2lgRT + C2(lgRT)3,

(5)

где А1, А2, В1, В2, С1, С2 – постоянные. Уравнение (4) обеспечивает

точность аппроксимации ((0,2…0,4) К в интервале (-60…+100) (С, а уравнение

(5) – точность (0,1 К в интервале (-20…+120) (С.

Чувствительные элементы изготавливают самых различных конфигураций –

от бусинок диаметром 0,2 мм, дисков и шайб диаметром (3…25) мм до стержней

диаметром 12 и длиной до 40 мм. Бусинковые чувствительные элементы обычно

заливают стеклом или помещают в стеклянные и пластмассовые корпуса.

Дисковые чувствительные элементы часто защищают изоляционными пленками из

лака или эпоксидных смол, монтируют на металлических пластинах и

герметизируют в металлические или пластмассовые корпуса (2(.

Однако, термодатчики такого типа обладают рядом недостатков.

Температурная зависимость сопротивления носит нелинейный характер,

поскольку величина ТКС в рабочем диапазоне температур изменяет свою

величину, иногда даже на несколько порядков. Технология изготовления

чувствительных элементов не позволяет получать номинальные значения

сопротивлений даже для одного типа с разбросом меньше (10…20)%. Кроме того,

значения температурного коэффициента сопротивления терморезисторов одной

конфигурации могут отличаться почти в два раза [7(, вследствие чего

отсутствует их взаимозаменяемость.

Но основным недостатком термометров этого типа является то, что они,

несмотря на проведение в процессе изготовления искусственного старения,

обладают низкой временной стабильностью и воспроизводимостью.

Значительно большей стабильностью электрофизических свойств по

ставнению с аморфными веществами обладают монокристаллы. Для создания

монокристаллических чувствительных элементов термометров широкое применение

получили кремний и германий. В чмстом виде германий и кремний используются

выше 20 К.

В области более низких температур наиболее часто используется

легированный германий, как хорошо изученный полупроводниковый материал,

технология получения кристаллов которого хорошо отработана. При легировании

германия элементами III и IV групп, такими как галлий и сурьма, являющимися

мелкими примесями с энергией активации порядка 0,01 эВ, можно изготавливать

высокочувсвительные термометры для работы в диапазоне от 1 до 40 К с

погрешностью 0,005 К [8]. Конструкция такого термодатчика разработки

ВНИИФТРИ при ведена на рис.2 [2]. Датчики выпускаются в двух модификациях в

расчете на двухпроводную (рис.2а) или четырехпроводную (рис.2б) схему

включения. Чувствительный элемент – тонкая пластина легированного германия

3, к которой припаяны золотые выводы 2. Чувствительный элемент помещен в

мельхиоровую гильзу 4, заканчивающуюся стеклянной головкой 6 с платиновым

пояском и припаяными через нее платиновыми выводами 7, сваренными внутри

гильзы с золотыми выводами от чувствительного элемента. Изнутри гильза

датчика покрыта фторопластовой защитной пленкой 5, противоположный выводам

конец герметизирован оловянной пробкой 1. Гильза термометра заполнена

газообразным гелием. Такие термометры имеют нелинейную температурную

зависимость сопротивления. Их статистическая характеристика бизка к

экспоненциальной и аппроксимируется полиномами вида (6(:

LnR = ( ai(lnT)i

(6),

где ai – коэффициенты.

Рис.2. Низкотемпературные датчики температуры на основе Ge.

Выбор степени полинома i зависит от требуемой точности измерения и

диапазона измеряемых температур. С ростом температуры чувствительность

таких термометров быстро уменьшается до уровня, меньшего чем у металлов.

При этом происходит изменение сопротивления термометра от сотен мегом до

десятых долей ома. Для сохранения высокой чувствительности вплоть до 300 К

авторами работ [9,10] предлагается многокомпонентное легирование германия

мелкими и глубокими примесями или донорными и акцепторными примесями.

Разработанные ВНИИФТРИ германиевые термодатчики обладают высокой

стабильностью характеристик и широко используются в криогенной области.

Однако, они имеют крайне низкую устойчивость к механическим воздействиям. К

недостаткам германиевого термодатчика следует отнести сложность получения

стабильной пленки двуокиси германия, что при разработке термодатчиков

требует специальных мер по защите поверхности чувствительного элемента от

окружающей среды. Кроме того, из-за узкой (Ey ( 0,74 эВ (11( ) запрещенной

зоны германий уже при Т((300…400) К становится собственным полупроводником,

что не позволяет использовать его при высоких температурах.

К этой же группе условно могут быть отнесены угольные термодатчики,

которые по характеру проводимости занимают промежуточное положение между

металлами и полупроводниками, но обладают высоким отрицательным ТКС и нашли

широкое применение в криогенной технике. В качестве чувствительного

элемента углеродных термодатчиков часто используются углеродные

радиотехнические сопротивления. Для широкого интервала температур

статические характеристики преобразования углеродных термодатчиков

предлагается представлять соотношением типа:

lnR = A/Tm + B

(7),

где A, B и m – постоянные.

Это уравнение позволяет в диапазоне (3…60) К получить аппроксимацию

экспериментальных данных с погрешностью не более (0,03 К (6(. Углеродные

термодатчики требуют индивидуальной градуировки. Они не дороги, однако в

эксплуатации требуют аккуратного обращения, т.к. весьма чувствительны к

механическим нагрузкам как на сам угольный элемент, так и на электрические

Страницы: 1, 2, 3



2012 © Все права защищены
При использовании материалов активная ссылка на источник обязательна.