Рефераты. Розробка і оформлення конструкторської документації гібридних інтегральних мікросхем

ГІМС відрізняються малою площею та високою надійністю, потребують небагато енергії, тому вони набувають широкого використання у сучасних електронних пристроях.



Список використаних джерел


1.            Александров, Є.Г. Кузьмина Електротехнічні креслення і схеми – М.: Енерговидавництво. – 1990. – 288с.

2.            А.М. Хаскін Креслення – К.: Вища школа. – 1976. – 436с.

3.            В.Н. Дулин Электрические приборы – М.: Энэргоиздательство, 1989. – 303с.

4.            Методичні вказівки до виконання курсової роботи з курсу „Нарисна геометрія та машинна графіка” на тему: „Розробка та оформлення конструкторської документації ГІМС”. Частина 1. Уклад. Кормановський С.І., Колесницький О.К., Вітюк О.П., Пащенко В.Н.- Вінниця, ВДТУ, 1997. – 32с.

5.            Р.М. Терещук, К.М. Терещук, С.А. Сєдов Справочник радиолюбителя – К.: Наукова думка, 1981. – 671с.

6.            Г.Д. Дорощенков, О.К. Колесницький, С.Є. Тужанський Радіо компоненти та мікроелектронна технологія: навчальний посібник – В.:ВНТУ, 2006. – 147с.



Додаток А



Таблиця 1

Умовне

позначення

Найменування

шарів

Позначення

матеріалу

Електричні

характеристики

Метод

одержання

Номер листа

Креслення і таблиці

1

Резистори


Кермет

R0=1000 Ом/м

Напилення в вакумі


2

Контактні площадки

Алюміній А99 ГОСТ 11069-74

R0=0.08Oм


3

Контактні площадки і провідники

Мідь вакуумна МВТУ 11Яе0.021.040-Т2

R0=0.06Oм


4

Контактні площадки і з’єднувальні провідники

Боросилікатне скло Е70.035.015ТУ

С0=10000пФ/Ом2


5

Верхній слой плівкового конденсатора

Матеріал для напилення обкладок Алюміній А99(ГОСТ 11069-64)

С0=2 1О4 пФ/см2



6

Діалектрик

Боросилікатне скло

E70.035.015ТУ

С0=10000пФ/Ом2





Додаток Б


Таблиця 2

№ вимірів

Поз. Означення

Точки вимірів

Провіряючий номінальний допуск

1

R1

1-3

6 кОм±10%

2

R2

4-2

26 кОм±10%

3

R3

4-2

26 кОм±10%

4

С1

4-2

220пФ±15%

5

 C2

1-8

0.01мкФ±10%


1.                  * Розміри для довідок.

2.                  Поверхня А полірована.

3.                  Конфігурацію плівчастих елементів виконувати по координатам, вказаним в Табл.. 3-7.

4.                  Елементи шарів виконуються через маску по ОСТ4 ГО.054.238.

5.                  Опір R і ємність С повинні відповідати значенням Табл..2.




Додаток В


Таблиця 3

Номери точок

Координати

x

Y

1

16

23

2

51

23

3

16

17

4

51

17

5

57

63

6

62

63

7

57

31

8

62

31

9

13

63

10

18

63

11

18

31

12

41

31


1.                  * Розміри для довідок




Додаток Г


1.                  *Розміри для довідок

2.                  Установку без корпусних компонентів виконувати по ОСТу ТО.010,220

3.                  Компоненти поз. 2,6 клеїти до плати поз.1 клеєм ВК-9ОСТ ГО.029.204 по ОСТу.054.21С.

4.                  Виводи елементів поз. 2 варити на установці „Контакт-3А” по ОСТу ГО.054.242.

5.                  Довжина вільних кінців дротяних виводів компонентів в місцях приєднання до контактних доріжок 0,5 мм max в границях контактних доріжок.

6.                  Позначення без корпусних елементів і контактних доріжок показано умовно.




Додаток Д



1.        *Розміри для довідок

2.        Плату поз.2 клеїти до деталі поз.1 клеєм ВК-9 по ОСТ4.ГОО54.210. Орієтировку провести по плівкових елементах.

3.        Герметизацію схем проводити методом лазерного зварювання по ОСТ4.ГО.054.241

4.        Контроль герметичності схем проводити вакумно рідинним методом по ОСТ4.ГО054.241

5.        Маркірувати надписи емаллю ЕП-578,чорна ТУ6101559714 шрифтом 1 по НО.010.007. Нанести клеймо ВТК.

6.        Після нанесення маркіровки поз.3 покрити лаком УР-231 ТУ6-10-В53-76Ж по ОСТ4.ГО.054.205

7.        Загальні вимоги по ОСТ4.ГО.005.21



АНОТАЦІЯ


В даному курсовому проекті розроблено конструкторську документацію гібридної мікросхеми з заданими параметрами, а також розраховано її оптимальні розміри за відповідними правилами. Виконано креслення резистивного шару, розробка складального креслення плати гібридної інтегральної схеми і специфікація до складального креслення.


АННОТАЦИЯ


В данном курсовом проекте разработана конструкторская документация гибридной микросхемы с заданными параметрами, а также рассчитано ее оптимальные размеры по соответствующим правилам. Выполнено чертеж резистивного шара, разработка сборочного чертежа платы гибридной интегральной схемы и спецификация к сборочному чертежу.


ABSTRACT


In the given academic year project the design documentation of a hybrid microcircuit with the set parametres is developed, and also calculation of its optimum sizes by respective rules is executed. It is executed plotting of a resistive sphere, working out of assembly plotting of a payment of a hybrid integrated microcircuit and the specification to assembly plotting.


Страницы: 1, 2, 3, 4, 5



2012 © Все права защищены
При использовании материалов активная ссылка на источник обязательна.