Визначаємо коефіцієнт підсилення за потужністю:

3.5 Вибір складених транзисторів VT4, VT5 кінцевого каскаду

Визначаємо максимальні граничні параметри обраних складених транзисторів кінцевого каскаду за такими формулами:

- максимальний струм колектора транзистора VT5.

- максимальну напругу колектор-емітер транзистора VT5

- максимальну потужність розсіювання на транзисторі VT5

- граничну частоту коефіцієнта передачі струму, МГц

За гранично розрахованими параметрами вибираємо типи транзисторів VT4, VT5 і заносимо їх до таблиці 3.3

Таблиця 3.3 Параметри вибраних транзисторів кінцевого каскаду.

Визначаємо величину опору резисторів R11 і R12 з співвідношення:

Вибираємо резистори R11, R12 опором 510 Ом.

Визначаємо потужність розсіювання на резисторах:

де Іко — постійна складова струму,

Обираємо резистори R11, R12 типу: МЛТ – 0,25 – 510 Ом ± 5%.

Визначаємо амплітудне значення змінного струму бази транзистора VT5:

Визначаємо постійну складову струму бази транзистора:

За вхідною динамічною характеристикою визначаємо основні параметри UБЕт, UБЕтax, UБЕ0 (рисунок 3 графічної частини).

Визначаємо амплітуду вхідної напруги на складених транзисторах:

Визначаємо вхідний опір каскаду без урахуванням зворотного зв'язку:

Визначаємо вхідний опір каскаду з урахуванням зворотного зв'язку:

де F – глибина місцевого зворотного зв'язку в плечі:

де q21m - усереднена крутизна характеристики транзистора УТ5;

де q21m - усереднена крутизна характеристики транзистора УТ7;

RБ - вхідний опір транзистора УТЗ:

Вхідна потужність кінцевого каскаду:

3.6 Вибір транзистора і розрахунок кіл передкінцевого каскаду

Визначаємо корисну потужність, що віддає транзистор VT3, і яка більше потужності, споживаної колом наступного каскаду, на величину потужності, розсіюванню в колі зміщення:

Визначаємо амплітудне значення змінної складової струму колектора транзистора VT3:

Для зменшення впливу нелінійності вхідної характеристики транзистора доцільно прийняти:

Тоді максимальний колекторний струм буде дорівнювати:

Максимальна напруга між колектором і емітером дорівнює:

Визначаємо потужність, споживану транзистором VT3 від джерела електроживлення:

Визначаємо максимальну потужність розсіювання на колекторі транзистора:

Визначаємо граничний коефіцієнт передачі частоти за струмом:

За розрахованими параметрами вибираємо тип транзистора VT3. Розраховані параметри та параметри вибраного транзистора занести в таблицю 3.4.

Таблиця 3.4 Параметри вибраного транзистора VT3 передкінцевого каскаду.

Визначаємо величину резистора R9 позитивного зворотного зв'язку за формулою:

Вибираємо стандартне значення резистора зворотного зв'язку R9 = 7,5 кОм.

Визначаємо потужність розсіювання на резисторі за формулою:

Обираємо резистори R9 типу: МЛТ – 0,125 – 7,5 кОм ± 5%.

Визначаємо амплітудне значення струму бази транзистора за формулою:

Визначаємо значення постійної складової струму бази:

Визначаємо вхідний опір каскаду, зібраного на транзисторі VT3 за формулою:

де h11E - вхідний опір транзистора, включеного за схемою ОЕ.

Визначаємо величину резистора R5:

Вибираємо стандартне значення резистора R5 = 750 кОм.

Визначаємо потужність розсіювання на резисторі за формулою:

Приймаємо стандартне значення потужності за ГОСТ 9663 і записуємо стандартне значення резистора за стандартом.

Обираємо резистор R5 типу: МЛТ – 0,125 – 750 кОм ± 5%.

Визначаємо амплітудне значення змінної напруги на базі транзистора:

Визначаємо потужність сигналу, споживану базовим колом транзистора за формулою:

3.7 Розрахунок коефіцієнта загальних гармонійних спотворень

Коефіцієнт гармонійних спотворень складених транзисторів визначається за спільною наскрізною характеристикою, яку будують таким чином. Спочатку визначаємо вхідний опір транзистора VT7 з урахуванням зворотного зв'язку за формулою:

де Rвх - вхідний опір без урахування зворотного зв'язку.

q21 - усереднене значення крутизни характеристики,

На вихідній статичній характеристиці транзистора УТ7 будуємо навантажувальну пряму за такими координатами точок:

Визначаємо значення колекторних струмів для точок 1 — 6 для транзистора VT7 за формулою:

 (3.4)

де IБі, UБЕі - значення струму та напруги в точках 1-6, які визначаємо за вихідною та вхідною характеристиками VT5;

На вихідній статичній характеристиці транзистора VT5 за значеннями ІКп визначаємо ІБі

Рисунок 3.3 Вихідна статична характеристика з динамічною навантажувальною прямою

За одержаними значення ІБі, UБЕі визначаємо миттєве значення е.р.с. джерела сигналу:

 (3.5)

Результати розрахунків та побудов заносимо до таблиці 3.5.

Таблиця 3.5 Результати розрахунків

За значенням, вибраним із таблиці 3.5, будуємо наскрізну характеристику .

За наскрізною характеристикою визначаємо струми І1 = 42 мА, І2 = 21 мА, І3 = 1,4 мА.

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6