Схема подключения ИМС имеет вид согласно рисунка 1.3.1.9. ИМС является регулируемым стабилизатором напряжения повышенной защиты от перегрева и перегрузки по току.
Рис.1.3.1.9 Схема подключения ИМС К142ЕН4
Рекомендуемые справочные значения C9, C10, R38 и R39 равны: C9= 2.2 мкФ, C10= 4700 нФ, R38= 1.6 кОм, R39= 22кОм.
Выбираем резисторы и конденсаторы:
R38 – МЛТ - 0.125- 1.6 кОм ±5%;
R39 – СП-2-2а - 0.5 - 22 кОм ±10%;
C9 - К-53-25- 40 В- 2.2 мкФ ±20%;
C10 – К-53-25- 40 В- 4.7 мкФ ±20%.
1.3.2 Выбор элементной базы
Описание и общие сведения о микроконтроллере К1816ВЕ751
Восьмиразрядные высокопроизводительные однокристальные микроЭВМ (ОМЭВМ) семейства МК51 выполнены по высококачественной п-МОП технологий (серия 1816) и КМОП технологии (серия 1830).
Использование ОМЭВМ семейства МК51 по сравнению с МК48 обеспечивает увеличение. объема памяти команд и памяти данных. Новые возможности ввода-вывода и периферийных устройств расширяют диапазон применения и снижают общие затраты системы. В зависимости от условий использования, быстродействие системы увеличивается минимум в два с половиной раза и максимум в десять раз.
Семейство МК51 включает пять модификаций ОМЭВМ (имеющих идентичные основные характеристики), основное различие между которыми состоит в реализации памяти программ и мощности потребления.
ОМЭВМ КР1816ВЕ51 и КР1830ВЕ51 содержат масочно-программируемое в процессе изготовления кристалла ПЗУ памяти программ емкостью 4096 байт и рассчитаны на применение в массовой продукции. За счет использования внешних микросхем памяти общий объем памяти программ может быть расширен до 64 Кбайт.
ОМЭВМ КМ1816ВЕ751 содержит ППЗУ емкостью 4096 байт со стиранием ультрафиолетовым излучением и удобна на этапе разработки системы при отладке программ, а также при производстве небольшими партиями или при создании систем, требующих в процессе эксплуатации периодической подстройки. За счет использования внешних микросхем памяти общий объем памяти программ может быть расширен до 64 Кбайт.
ОМЭВМ КР1816ВЕ31 и КР1830ВЕ31 не содержат встроенной памяти программ, однако могут использовать до 64 Кбайт внешней постоянной или перепрограммируемой памяти программ и эффективно использоваться в системах, требующих существенно большего по объему (чем 4 Кбайт на кристалле) ПЗУ памяти программ.Каждая из перечисленных выше микросхем является соответственно аналогом БИС 8051, 80С51, 8751, 8031, 80С31 семейства MCS-51 фирмы Intel (США).
Таблица 1.3.2.1 Регистры специальных функций
Ниже кратко описываются функции регистров, приведенных в таблице А1.
АСС - регистр аккумулятора. Команды, предназначенные для работы с аккумулятором, используют мнемонику "А", например, MOV A, P2. Мнемоника "АСС" используется, к примеру, при побитовой адресации аккумулятора. Так, символическое имя пятого бита аккумулятора при использовании ассемблера ASM51 будет следующим: АСС. 5.Регистр В. Используется во время операций умножения и деления. Для других инструкций регистр В может рассматриваться как дополнительный сверхоперативный регистр.Регистр состояния программы. Регистр PSW содержит информацию о состоянии программы.Указатель стека SP. 8-битовый регистр, содержимое которого инкрементируется перед записью данных в стек при выполнении команд PUSH и CALL. При начальном сбросе указатель стека устанавливается в 07Н, а область стека в ОЗУ данных начинается с адреса 08Н. При необходимости путем переопределения указателя стека область стека может быть расположена в любом месте внутреннего ОЗУ данных микроЭВМ. Указатель данных. Указатель данных (DPTR) состоит из старшего байта (DPH) и младшего байта (DPL). Содержит 16-битовый адрес при обращении к внешней памяти. Может использоваться как 16-битовый регистр или как два независимых восьмибитовых регистра.
Сравнительные данные ОМЭВМ семейства МК51
Микросхема
Объем внутренней памяти программ, Кбайт
Тип памяти
Объем внутренней памяти данных, байт
Максимальная частота тактовых сигналов, МГц
Потребляемый ток, мА
КР1816ВЕ31
-
Внеш.
128
12
150
КР1816ВЕ51
4
ПЗУ
КР1816ВЕ751
ППЗУ
220
КР1830ВЕ31
Внеш
18
КР1830ВЕ51
ПХУ
В качестве диодов VD1 ÷ VD4, VD5 ÷ VD8 выберу диод типа КД202В, имеющий параметры: Uобр max (диода) = 70 В, Iср. пр (диода) = 5 А, Iпр max (диода) = 5 А, Uпр (диода) = 0,9 В.
Выберу конденсаторы из ряда Е24:
С1, С2 – К-50-31- 40 В- 4700 мкФ ±20%.
С3 – К-50-31- 40 В- 4700 мкФ ±20%.
С4 – К-50-31- 40 В- 4700 мкФ ±20%.
C5, C6 – КТ4-21-100 В – 20 пФ±20%;
C7 - К-50-31- 40 В- 10 мкФ ±20%;
C8 – К-53-1- 30 В- 0.1 мкФ ±20%;
Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8