Рефераты. Разработка печатного узла телеграфного ключа

-         допустимые режимы и рабочие электрические нагрузки (мощность, напряжение, частота, параметры импульсного режима и т.д.);

-         показатели надежности, долговечности и сохраняемости;

-         конструкцию выбираемого элемента, способ монтажа, габаритные размеры и массу.

Ниже приведено подробное описание выбранных (с учетом ранее сказанного) элементов и их типов.

Динамик Samsung PKS-230-5

Пьезоэлектрический динамик Samsung PKS-230-5 на основе кварца предназначен для использования в аппаратуре, не предъявляющей высокие требования к качеству звука и мощности (например, в сигнальных блоках). В основе его действия лежит обратный пьезоэлектрический эффект: возникновение механических напряжений в результате поляризации вызванной электрическими зарядами. Т.е. прикладывание напряжения определённой частоты ведёт к появлению акустических соответствующих колебаний.

Конденсатор К50-6

Конденсатор типа К50-6 электролитические алюминиевые. Предназначены для работы в цепях постоянного и пульсирующего тока. Выпускаются в герметичных металлических корпусах двух вариантов.

Допустимые воздействующие факторы при эксплуатации

Вибрационные нагрузки:

-         диапазон частот, Гц 5…3000;

-         ускорение, м/с2, не более 146

Многократные ударные нагрузки:

-      ускорение, м/с2, не более 1471;

-      длительность удара, мс 1,3.

Одиночные ударные нагрузки:

-      ускорение, м/с2, не более 4905;

-      длительность удара, мс 1…2.

Линейные нагрузки с ускорением, м/с2, не более 490

Акустические шумы:

-         диапазон частот, Гц 50…10000;

-         уровень звукового давления, дБ, не более 150.

Температура окружающей среды, °С

-      верхнее значение   +70;

-      нижнее значение  -15.

Относительная влажность воздуха, % , не более,

при температуре +25°С 98.

Пониженное атмосферное давление. Па (мм рт. ст.) 0.00013(10-6).


Микропроцессор PIC16C74-04/P

40-выводные 8-битные CMOS микроконтроллеры с АЦП.


Память программ, байт

ОЗУ данных

Част., МГц

Порты вв./выв.

Послед. интерфейс

АЦП/ЦАП

ШИМ

Перезап. по сбою питания

Таймеры

Програм. на плате

4096x14

192

20

33

USART/ I2C/ SPI

8/0

2

есть

1+WDT

есть


 Всего 35 простых для изучения инструкции

 Все инструкции исполняются за один такт, кроме инструкций перехода, выполняемых за два такта

 Скорость работы: тактовая частота до 20 МГц минимальная длительность такта 200 нс

 Механизм прерываний (до 12 внутренних/внешних источников прерываний)

 Воьмиуровневый аппартный стек

 Прямой, косвенный и относительный режимы адресации для данных и инструкций


Рисунок 1.2.1 – внешний вид PIC16C74-04/P.


ППЗУ 24LC32



Энергонезависимая память (EEPROM) объёмом 32K. Для обмена данными использует шину IIC (I2C). Выпускается в корпусах со штыревыми выводами и планарные.


Шина I2C поддерживает любую технологию изготовления микросхем (НМОП, КМОП, биполярную). Две линии данных (SDA) и синхронизации (SCL) служат для переноса информации. Каждое устройство распознается по уникальному адресу - будь то микроконтроллер, ЖКИ буфер, память или интерфейс клавиатуры - и может работать как передатчик или приёмник, в зависимости от назначения устройства. Обычно ЖКИ буфер - только приёмник, а память может как принимать, так и передавать данные. Кроме того, устройства могут быть классифицированы как ведущие и ведомые при передаче данных.


Светодиод АЛ307


Рисунок 1.2.2 – циколёвка светодиода АЛ307


АЛ307ВМ – зелёный λср = 562 нм

АЛ307АМ – красный λср = 662 нм

Температура окружающей среды, °С

-         верхнее значение 70;

-         нижнее значение -60.


Реле герконовое EDR2H1A0500


Рисунок 1.2.3 – циколёвка реле герконового EDR2H1A0500


Электромагнитное реле с герметизированным магнитоуправляемым контактом. При работе показывает уровень акустического шума значительно ниже, чем у обычного реле. Выполнен в пластиковом корпусе со штыревыми выводами.

 

Резистор переменный СП3-19А-2


Рисунок 1.2.4 – циколёвка резистора переменного СП3-19А-2

Резисторы переменные одинарные однооборотные с круговым перемещением подвижной системы. Предназначены для работы в электрических цепях постоянного, переменного и импульсного тока.


Механические воздействия:

- Синусоидальная вибрация:

- диапазон частот

1-5000 Гц

- амплитуда ускорения

390 м/с2

- Механические удары одиночного действия (ускорение)

10 000 м/с2

- Механические удары многократного действия (ускорение)

1500 м/с2

- Линейное ускорение

5000 м/с2


Климатические воздействия:

- Интервал рабочих температур

от -60 до +125°С

- Относительная влажность воздуха (при температуре+35°С)

98%

- Атмосферное давление

0,13-294 кПа


Резистор С2-2З

Резисторы типа С2-2З с металлоэлектрическим проводящим слоем предназначены для работы в цепях постоянного, переменного и импульсного тока в качестве элементов навесного монтажа. Относятся к неизолированным резисторам.

Уровень собственных шумов, мкВ/В, не более 1,5.

Условия эксплуатации резисторов:

Температура окружающей среды, °С

-         верхнее значение 85;

-         нижнее значение -60.

Относительная влажность окружающего

воздуха при температуре 35°С, % 98.

Пониженное атмосферное давление. Па (мм рт.ст.) 0,00013•(10-6).

Вибрация:

-         ускорение, м/с2, (g) 147(15);

-         диапазон частот, Гц 5…600.

Удары:

-         ускорение, (g), не более150;

-         количество 4000.

Линейные нагрузки:

-         с ускорением, (g), не более 200;

Минимальная наработка на отказ, ч 20000.

Срок сохраняемости, лет 15.


Кнопка ПКн-188


Переключатель кнопочный малогабаритный ПКн-188а имеет две пары выводов для повышения прочности крепления к печатной плате.


 




 

 

Диод КД522А

Полупроводниковый диод КД522А кремниевый предназначен для работы в приемной, усилительной и другой аппаратуре широкого применения. Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.



Эксплуатационные характеристики:

-         Температура окружающей среды, °С: диапазон частот, Гц   10...600;

-         ускорение, g 10;

Многократные удары с ускорением, g 70

Линейные нагрузки с ускорением, g 25

Транзистор КТ315Б

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в схемах усиления и генерирования колебаний высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Масса транзистора не более 0,18 г.



Параметр

Значение

IК max

100 мА

UКЭR max

20 В

UКЭ

10 В

UКЭ нас

0,4 В

UЭБ0 max

PК max

150 мВт

T

25 ºC

TП max

120 ºС

ТК max

100 ºС

h21э

50…350

1 mА

IКБ0

1 мкА

fгр

250 MHz

7 пФ

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6



2012 © Все права защищены
При использовании материалов активная ссылка на источник обязательна.