Электрические параметры элементов ИМС для разработанной физической структуры, изготовленной по вышеуказанному технологическому маршруту приведены в таблице 4.2.
Таблица 4.2 - Электрические параметры элементов
Элементы
Параметры
Нижний предел
Типовое
Верхний предел
NPN транзистор
Коэффициент усиления Iк=10мкA
100
150
200
Напряжение пробоя К-Э Iк=100 мкA
10 В
–
20
Напряжение пробоя Э-Б Iэ=10мкA
6.2 В
6.5 В
6.8 В
Прямое напряжение Э-Б Iэ=50мкA
0.67 В
0.69 В
0.71 В
Напряжение пробоя К-Б Iк=10 мкA
30 В
40
Напряжение пробоя К-П I=10 мкA
PNP транзистор
Коэффициент усиления Iк=100мкAUкэ=5В
30
Напряжение пробоя К-Э Iк=10мкA
15 В
Резисторы на базе
Поверхностное сопротивление
700Ом/кв
760Ом/кв
820Ом/кв
Конструктивно-топологические ограничения (вариант ПФЛ).
N+скрытый слой.
Минимальная ширина - 5.0 мкм.
Глубокий коллектор.
Минимальный размер - 2.5мкм.
Разделение.
Минимальная ширина - 4.0 мкм;
минимальное расстояние до N+СС - 6.0 мкм;
минимальное расстояние до гл. коллектора - 4.0 мкм.
Р+база.
Минимальная размер - 2.0 мкм;
минимальное расстояние (в том числе база PNP) - 3.5 мкм;
минимальное расстояние до разделения - 4,0 мкм;
База.
Минимальный размер - 6.0 мкм;
минимальное расстояние - 4.0 мкм;
минимальное расстояние до разделения - 4.0 мкм;
Эмиттер.
Минимальный размер - 3.0 мкм;
минимальное расстояние - 2.0 мкм;
минимальное расстояние до базы - 1.5 мкм;
минимальное расстояние от Р+ базы до эмиттера - 1.5 мкм.
Емкость.
Минимальный размер - 5.0 мкм;
минимальное расстояние емкость – эмиттер - 1.0 мкм.
Контактные окна.
Минимальный размер - 2.0 мкм;
минимальное расстояние до базы, резисторов - 1.0 мкм;
минимальное расстояние до эмиттера - 0.5 мкм;
минимальное расстояние до коллектора - 0.0 мкм.
Металл 1.
Минимальная ширина - 3.0 мкм;
минимальное расстояние - 2.8 мкм;
минимальное перекрытие контактных окон - 1.0 мкм.
Изолирующий диэлектрик (ИД).
Минимальный размер окон в ИД - 3.0 мкм;
минимальное расстояние металл 1- окно в ИД - 1.0 мкм.
Металл 2.
Минимальная ширина - 5.0 мкм;
минимальное расстояние - 5.0 мкм;
минимальное перекрытие контактных окон ИД - 2.0 мкм.
Пассивация.
Размер контактной площадки по металлу 1 - 94´94 мкм;
расстояние от края окна в пассивации до металла КП - 10 мкм;
расстояние между контактными площадками - 40 мкм.
5. Разработка топологии ИМС
5.1 Разработка библиотеки элементов
Разработку топологии проектируемой ИМС проведем с помощью пакета программ проектирования топологии ПАРОМ. В качестве исходной информации при проектировании используем фотографию кристалла ИМС TA2003 и проектные нормы на разработку топологии.
На первом этапе проектирования произведем замеры геометрических размеров областей образующих элементы ИМС TA2003 и исследуем их конфигурации. Используя полученные сведения о размерах и конфигурации элементов приступаем к разработке библиотеки элементов. Библиотека представляет собой набор файлов формата программы ПАРОМ. Каждый файл содержит топологию отдельного элемента. В файл топологии ИМС элементы вызываются из соответствующих файлов библиотеки.
Итак библиотека элементов приведена на рисунках 5.1 - 5.8.
К
Б
Э
б)
а)
Рисунок 5.1 – N-P-N транзисторы (в обозначении элементов N – n-p-n транзистор, 2514 – размеры транзистора: 25 – длинна, 14 – ширина. Масштаб 620:1)
в)
г)
Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11
