Рефераты. Расчет усилителей на биполярных транзисторах

Определим величины резисторов R1 и R2:






Разделительный конденсатор Сс принимаем емкостью 100 мкФ.

Исходя из имеющихся стандартных номиналов резисторов, величину Rк =2,2 кОм, R1=82 кОм, R2=10 кОм.


5. Определение малосигнальных параметров транзистора в рабочей точке


1.) Входное сопротивление, измеряемое при коротком замыкании на выходе транзистора, Используя выходные характеристики транзистора (Рис. 4)




Рис. 4


2.) Коэффициент передачи по току, измеряемый при коротком замыкании на выходе транзистора, используем входные характеристики транзистора (Рис.5)



Рис. 5


3.) Выходная проводимость, измеряемая при холостом ходе на входе транзистора, используем входные характеристики транзистора (Рис. 6)



Рис. 6

4.) Коэффициент обратной связи, измеряемый при холостом ходе на входе транзистора:

Для всех типов биполярных транзисторов и рабочих точек принято

(DIб , DIк ,DUбэ , DUкэ – приращения, взятые симметрично относительно рабочей точки О).


6. Определение величин эквивалентной схемы транзистора


Физическая малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема биполярного транзистора (схема Джиколетто) представлена на рис. 3.


SUВХ

 

Рис. 7


1.                    Барьерная ёмкость коллекторного перехода;



2.                    Выходное сопротивление транзистора;


3.                    Сопротивление коллекторного перехода;



4.                    Сопротивление эмиттерного перехода для эмиттерного тока;



5.                    Сопротивление эмиттерного перехода для базового тока;



6.                    Распределение сопротивления базы;


 Берем  = 100 Ом


7.                    Диффузионная ёмкость эмиттерного перехода;


7 нФ


8.                    Собственная постоянная времени транзистора;



9.                    Крутизна транзистора;

 мА/В

7. Определение граничной и предельных частот биполярного транзистора

1. Граничная частота усиления транзистора в схеме с ОЭ:


2. Предельная частота в схеме с ОЭ:



3. Предельная частота транзистора по крутизне:


 

4. Максимальная частота генерации:


 

8. Определение сопротивления нагрузки транзистора по переменному

току


Сопротивление нагрузки по переменному току для биполярного транзистора рассчитывается по формуле:



Для построения нагрузочной прямой по переменному току воспользуемся двумя точками:


1.);


2.) - точка покоя (т.О)


Нагрузочная прямая по переменному току приведена на рисунке 8 (прямая CD).



 

 

IБ=0,01 мА

Рис.8

 

9. Построение сквозной характеристики


Для построения сквозной характеристики воспользуемся нагрузочной прямой по переменному току и выходными характеристиками приведенными на рисунке 8. По точкам пересечения нагрузочной прямой по переменному току с выходными характеристиками строим сквозную характеристику Iк(Uбэ). Точки для построения проходной характеристики (зависимости Iк от Uбэ) представлены в таблице 1, а график зависимости на рисунке 9.


Таблица 1

Iк, мА

0,2

1,6

3,6

5,5

6,6

8,5

10,2

11,8

13,3

Uбэ, В

0,5

0,59

0,61

0,63

0,64

0,65

0,66

0,67

0,68

Iб, мА

0

0,01

0,02

0,03

0,04

0,05

0,06

0,07

0,08


10. Определение динамических параметров усилительного каскада


Динамические параметры усилительного каскада определяются для двух величин амплитуды входного сигнала Uвх: Uвхн и Uвхн/2.


B: Iб=0,01 Uбэ=0,59 Iк=1,5

D: Iб=0.0125 Uбэ=0,612 Iк=3,8

A: Iб=0,03 Uбэ=0,632 Iк=6,9

E: Iб=0,06 Uбэ=0,654 Iк=9,9

C: Iб=0,08 Uбэ=0,675 Iк=13,2


1) Коэффициент усиления по напряжению, Кu (отношение установившегося значения напряжения сигнала на выходе усилителя к напряжению сигнала на его входе) определим по формуле


,

где значение берем на выходной характеристике вблизи рабочей точки;

1.1)                        для Uвхн:


,


где значение  с учетом обеих полуволн входного сигнала берем равным 2Uвхн; Ku<0, так как фаза равна π.

1.2.) для Uвхн/2:


,


где значение  с учетом обеих полуволн входного сигнала берем равным Uвхн; Ku<0, так как фаза равна π.

2.) Коэффициент усиления по току Кi (отношение установившегося значения тока сигнала в нагрузку к току сигнала на входе) определим по формуле


,


где значение , берем на выходных характеристиках вблизи рабочей точки (точки E и F на графике);

2.1) для Uвхн:


;

где значение  с учетом обеих полуволн входного сигнала берем равным 2Uвхн;

2.2.) для Uвхн/2:


;


где значение  с учетом обеих полуволн входного сигнала берем равным Uвхн;

3.) Коэффициент усиления по мощности определим по формуле



3.1) для Uвхн:



3.2) для Uвхн/2:



Kp<0, так как фаза равна π.

4.) Коэффициент нелинейных искажений (коэффициент гармоник).

Нелинейные искажения - это изменения формы колебания, обусловленные кривизной характеристик транзисторов, диодов, магнитопроводов, полупроводниковых конденсаторов, микросхем и др. элементов. Параметры нелинейных элементов зависят от воздействующего на них тока или напряжения. Отличительным признаком нелинейных искажений является то, что им подвержено даже гармоническое колебание. На этом основана их простейшая количественная оценка с помощью коэффициента гармоник. Если на вход усилителя подать чисто гармоническое напряжение, то на выходе получим не только его первую гармонику, но и высшие.

Коэффициентом гармоник называется отношение эффективного (действующего), значения суммы высших гармоник выходного напряжения к эффективному значению первой его гармоники, вычисляется по формуле.



где  - действующие напряжения отдельных гармоник выходного напряжения.

Этот коэффициент можно определить по сквозной характеристике (метод Клина), который позволяет учесть влияние второй и третьей гармоники выходного сигнала по формуле:


,


где - коэффициенты второй и третьей гармоники, определяются графически.

Для этого на сквозной характеристике, рис. 5, отмечают пять точек, соответствующих: точке покоя, наибольшей амплитуде входного сигнала, половине наибольшей амплитуды сигнала (с учетом обеих полуволн). Значения переменных а, в и с определяются графически по рис 5.

a = 13 – 7=6

b=7 – 1,5=5,5

с = 9,9 – 3,8=6,1





Заключение


В ходе выполнения курсовой работы были изучены характеристики и параметры биполярного транзистора, схема включения транзистора в качестве активного элемента усилителя, схема замещения транзистора и ее параметры. Рассчитаны динамические параметры каскада для двух значений амплитуды входного сигнала. Выяснено, что коэффициенты гармоник и степень нелинейных искажений существенно зависят от амплитуды входного сигнала (при уменьшении амплитуды искажения уменьшаются).


Список литературы


1.        Елфимов В.И., Устыленко Н.С. Электронные твердотельные приборы и микроэлектроника. Методические указания к выполнению курсовой работы. Екатеринбург: УрКСИ, 1998.

2.        Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Справочник. / Под ред. Б. Л. Перельмана. М.: Радио и связь, 1982.

3.        Цыкина А.В. Электронные усилители. Учеб. пособие для техникумов связи, 2-е изд., доп. и перераб. М.: Радио и связь, 1982.












Страницы: 1, 2



2012 © Все права защищены
При использовании материалов активная ссылка на источник обязательна.