Рисунок 1.5 - Геометрия реального высоковольтного диода
Ток через диод IR к которому приложено обратное напряжение, складывается в общем случае из трех компонент: диффузионного тока Id, тока генерации в ООЗ Isc и тока поверхностной утечки Is:
IR = Id+Isc+Is.
Каждая из компонент IR по-разному зависит от таких внешних факторов, как напряжение и температура. Кроме того, если для диффузионного и генерационного токов их теоретические зависимости от температуры и напряжения известны [9], то построить такую зависимость для поверхностного тока пока не удалось. Среди причин этого следует указать на тот факт, что в ток Is входят токи утечек через неконтролируемые примеси на поверхности диода. К этому следует добавить, что все теоретические формулы позволяют рассчитать плотности соответствующих токов, однако для расчета полного тока надо еще знать площадь, через которую соответствующий ток протекает. К сожалению, эта величина обычно не известна, так как есть веские основания считать, что ток IR может протекать не по всей площади диода. Все это приводит к тому, что ток IR рассматривают обычно как сугубо экспериментальную характеристику диода. Его температурную зависимость чаще всего аппроксимируют выражением [2]
IR(T)=IR(T0)ехр[а(T-T0)], (1.2)
где IR(T)-ток IR при температуре полупроводника, равной Т; а коэффициент, лежащий в диапазоне 0,03-0,08 К-1.
В отличие от вольтамперной характеристики (ВАХ), показанной на рис. 1.4, в реальных высоковольтных диодах часто не наблюдают резкого излома ВАХ, т. е. зависимость тока от напряжения. ВАХ такого вида называют «мягкой» характеристикой.
Проводящее состояние силового диода.
Под воздействием прямого напряжения потенциальный барьер уменьшается, в результате чего концентрация неосновных носителей у границ р-n перехода (дырок в n-области и электронов в р-области) экспоненциально возрастает. Это явление называют инжекцией неосновных носителей заряда. Инжектированные носители начинают диффундировать в глубь полупроводника возникает ток через диод. Приборы имеют толстую базу, падение потенциала на которой приводит к весьма сложной связи между плотностью прямого тока через диод и падением напряжения UF на нем [4]. Нам достаточно отметить следующее.
Самой распространенной практической аппроксимацией ВАХ диода в прямом направлении является линейная аппроксимация [4]
UF=UFO + rFIF, (1.3)
где UFO-nороговое напряжение диода; rF-дифференциальное прямое сопротивление диода.
Cтепенная аппроксимация ВАХ, которая в некоторых случаях может оказаться более близкой к экспериментальным данным:
U=KINF, (1.4)
где К и N-константы. Значения N в случае использования аппроксимации лежат в диапазоне 0,3-0,8. На рис. 1.6 приведены реальная ВАХ тиристора типа Т173-1250 и ее линейная и степенная аппроксимации.
Рисунок 1.6 - Вольт-амперная характеристика тиристора типа Т173-1250 в открытом состоянии и ее линейная (–·–·–) и степенная (------) аппроксимации: Uт = 0,119i0,32
С ростом температуры прямое падение напряжения, как правило, увеличивается. Эту зависимость обычно получают из эксперимента, так как корректная теоретическая модель температурной зависимости прямого падения напряжения в настоящее время отсутствует.
Важным для понимания работы диода является то, что при больших плотностях тока в его слоях происходит накопление подвижных носителей заряда. Явление накопления заряда, как показано далее, существенно влияет на процесс выключения силового диода, при этом основное влияние на характеристики диода оказывает накопленный в n-базе заряд дырок: Qp. Это обусловлено относительно большей инжекцией из более сильнолегированного р-слоя, меньшей подвижностью дырок по сравнению с электронами, большей толщиной n-слоя и большим временем жизни дырок в нем.
Накопленный заряд Q зависит от прямого тока через диод и в стационарных условиях остается постоянным, так как процесс инжекции неосновных носителей заряда уравновешивается процессом их рекомбинации.
Переходный процесс включения силового полупроводникового диода. Под процессом включения диода понимается динамический процесс перехода диода из непроводящего состояния в проводящее.
При изменении полярности напряжения источника с обратной на прямую из-за инжекции неосновных носителей заряда электропроводность полупроводниковой структуры диода резко увеличивается и через него начинает протекать прямой ток IF. Физические процессы в самом диоде могут оказывать влияние на процесс нарастания прямого тока только при временах до нескольких десятков микросекунд. За это время заканчивается процесс модуляции проводимости диода, после чего скорость нарастания прямого тока, а также его установившееся значение определяются напряжением источника питания и сопротивлением внешней цепи (при условии, что прямым напряжением на диоде можно пренебречь из-за его малости).
Отметим, что между нарастающим прямым током в процессе установления проводящего состояния диода и падением напряжения на нем наблюдается емкостный сдвиг по фазе, обусловленный наличием диффузионной емкости Сd Эта емкость определяется как отношение приращения заряда избыточных неосновных носителей, накопленных в р- и n-слоях структуры, к соответствующему приращению прямого напряжения на р-n переходе.
Сопротивление диода представляет собой простое дифференциальное сопротивление диода, то есть сопротивление диода малому переменному току при постоянном смещении.
Диффузионную емкость обычно связывают с изменением заряда инжектированных носителей при изменении напряжения на диоде. Действительно, инжектированные носители в течение некоторого времени существуют в областях диода, примыкающих к p-n – переходу. При изменении напряжения часть накопленных неосновных носителей может возвратиться в p-n – переход и пройти через него в соседнюю область. Образующийся при этом ток аналогичен емкостному току.
Однако к этому требуются некоторые пояснения и дополнения. Дело в том, что при инжекции области, примыкающие к p-n – переходу, остаются нейтральными, то есть никакой суммарный заряд в них не появляется. Нейтрализация заряда происходит из-за подхода основных носителей в те области, куда произошла инжекция неосновных носителей. Нейтрализация устанавливается за очень малый промежуток времени – порядка времени максвеловской или диэлектрической релаксации (обычно 10-11…10-12 с). Так как концентрация основных носителей относительно велика и необходимое их количество пополняется невыпрямляющим контактом, нейтрализация получается практически полная. Следует заметить, что нейтрализуется не только заряд в среднем по всей области, но и заряд в каждой точке, т.е. выполняется условие локальной электрической нейтральности.
Несмотря на то, что при инжекции примыкающие к p-n – переходу области не заряжаются, диффузионную емкость можно связать с зарядом инжектированных носителей, так как инжектированные неосновные носители и нейтрализующие их основные носители не исчезают. Для сравнения вспомнить, что и обычный конденсатор в целом электрически нейтрален. Но в обычном конденсаторе положительные и отрицательные заряда пространственно разделены (то же самое можно сказать и о p-n – переходе при рассмотрении его барьерной емкости), в то время как при инжекции через p-n – переход и положительный, и отрицательный заряда оказываются в одной и ой же области и пространственно не разделяются, в результате чего не возможно обнаружить область, где проходят токи смещения.
Следовательно, диффузионную емкость можно связать с изменением заряда инжектированных неосновных носителей, но нельзя связать с происхождением тока смещения. В этом существенное физическое отличие диффузионной емкости от барьерной емкости p-n – перехода и от емкости обычного конденсата.
Диффузионную емкость можно представить следующим образом:
(1.5)
Постоянная времени. Если продолжить аналогию полупроводникового диода с конденсатором, то можно выяснит физический смысл постоянной времени Cдиф. Для конденсатора постоянная времени показывает, за какое время его заряд уменьшается в e раз, т.е. постоянная времени характеризует время исчезновения заряда конденсатора.
Постоянная времени диода с толстой базой при низкой частоте тоже характеризует время исчезновения заряда. Действительно, - время жизни неосновных носителей – как раз и показывает, в течение какого времени концентрация неосновных носителей измениться в е раз из-за рекомбинации.
Для диода с тонкой базой при низкой частоте постоянная времени равна (1.6)
2. РАСЧЕТ и исследование мощных низкочастотных диодов на основе кремния
Проведем расчет и исследования статических и динамических характеристик 4H-SiC p+-п0-n+ диодов, рассчитанных на обратное напряжение 6, 10 и 20 кВ и обозначаемых далее как 6-кВ, 10-кВ и 20-кВ диоды. Концентрация примесей в сильно легированных эмиттерных областях составляет ~ 1019 см−3, уровень легирования и толщина базы n-типа определяются максимальным блокируемым напряжением (см. табл. 1).
Таблица 1 - Параметры структуры 6-кВ, 10-кВ и 20-кВ 4H-SiC р+-n0-п+ диодов
Концентрация доноров в базе, см−3
Толщина базы, мкм
6-кВ
1·1015
50
10-кВ
3·1014
150
20-кВ
200
В 4H-SiC диодах при малых плотностях тока основную роль играют генерация и рекомбинация носителей в области пространственного заряда (ОПЗ) р-n-перехода и их диффузионный перенос через базу. В диодах практически отсутствуют "избыточные" токи, связанные с различного рода неоднородностями структуры и обусловленные, например, механизмами полевого и термополевого туннелирования. На рис. 2.1 в качестве примера показаны прямые вольтамперные характеристики (ВАХ) 6-кВ диода, измеренные при температурах 297 и 537 K в диапазоне плотностей прямого тока jпр= 10−7−1 А/см2. В указанном интервале плотностей тока ВАХ хорошо аппроксимируются суммой рекомбинационного (jрек) и диффузионного (jдиф) токов с учетом омического падения напряжения на базе диода jпрrб, где rб - сопротивление базы):
Страницы: 1, 2, 3, 4
