Приложение 2
Параметры транзисторов на частотах ниже 500 МГц.
При включении транзисторов в усилительный каскад по схеме с общим эмиттером параметры транзистора приведены в таблице 1, где:
- прямая проводимость (крутизна) транзистора,
- обратная проводимость транзистора,
- выходная проводимость транзистора,
- входная проводимость транзистора.
Таблица 1
Параметры транзистора
Расчетные формулы
где
,
При включении транзисторов в усилительный каскад по каскадной схеме (ОЭ-ОБ) параметры транзисторов приведены в таблице 2.
Таблица 2
Параметры транзистора в схеме с ОЭ
Параметры транзистора в схеме с ОЭ ОБ
Приложение 3
Таблица отношений напряжений и мощностей
N (дБ)
0
1,0
2,1
1,27
1,62
7,0
2,2
5,02
0,1
1,012
1,024
1,29
1,66
8,0
2,5
6,31
0,2
1,048
2,3
1,31
1,7
9,0
2,8
0,3
1,035
1,07
2,4
1,32
1,74
10,0
3,2
0,4
1,047
1,09
1,34
1,8
11,0
3,58
13,0
0,5
1,06
1,12
2,6
1,35
1,82
12,0
4,0
16,0
0,6
1,14
2,7
1,365
1,86
4,5
20,0
0,7
1,085
1,17
1,38
1,9
14,0
25,1
0,8
1,097
1,2
2,9
1,4
1,95
15,0
5,67
31,0
0,9
1,11
1,23
3,0
1,42
2,0
40,0
1,26
3,1
1,437
2,048
17,0
7,1
51,0
1,1
1,135
1,45
2,096
18,0
64,0
1,148
1,3
3,3
1,47
2,14
19,0
8,96
80,0
1,161
3,4
1,486
2,18
10
100
3,5
1,5
2,24
30,0
32
1,19
3,6
1,52
2,28
1,6
3,7
1,54
2,34
50,0
320
1,22
1,48
3,8
1,557
60,0
3,9
1,57
2,46
70,0
1,245
1,55
5,0
90,0
6,0
100.0
Приложение 4
Параметры и схемы включения микросхем серии К 226, предназначенные для усиления низкой частоты
Серии МС
(кГц)
К 226 УН1А,Б,С
250…350
0,2…100
+12,-6
К 226 УН2А,Б,С
25…35
0,02…100
К 226 УН3А,Б,С
270…330
+6,-9
К 226 УН4А,Б,С
9…11
К 226 УН5А,Б,С
90…100
Входные емкости вышеперечисленных микросхем не превышают 20пФ.
Страницы: 1, 2, 3
