Детекторный полупроводниковый диод (Halbleiterdemodulatordiode, Detector diode) – полупроводниковый диод предназначенный для детектирования сигнала.
Ограничительный полупроводниковый диод (Halbleiterbegrenzerdiode, Microwave limiting diode) – полупроводниковый диод с лавинным пробоем, предназначенный для ограничения импульсов напряжения.
Умножительный полупроводниковый диод (Halbleitervervielfacherdiode, Semiconductor frequency multiplication diode) – полупроводниковый диод, предназначенный для умножения частоты.
Модуляторный полупроводниковый диод (Halbleitermodulatordiode, Semiconductor modulator diode) – полупроводниковый диод, предназначенный для модуляции высокочастотного сигнала.
Диод Шоттки (Schottky-Diode, Schottky (-barrier) diode) – полупроводниковый диод, выпрямительные свойства которого основаны на взаимодействии металла и обедненного слоя полупроводника.
Варикап (Kapazitatsdiode, variable capacitance diode) – полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости емкости от обратного напряжения и который предназначен для применения в качестве элемента с электрически управляемой емкостью.
Параметрический полупроводниковый диод (Параметрический диод, Halbleitervaraktordiode, Semiconductor parametric diode) – варикап, предназначенный для применения в диапазоне сверхвысоких частот в параметрических усилителях.
Полупроводниковый стабилитрон (Стабилитрон, Ндп. Зенеровский диод, Kalbleiter-Z-Diode, Voltage reference diode) – полупроводниковый диод, напряжение на котором сохраняется с определенной точностью при протекании через него тока в заданном диапазоне, и предназначенный для стабилизации напряжения.
Полупроводниковый шумовой диод (Halbleiterrauschdiode, Semiconductor noise diode) – полупроводниковый прибор являющийся источником шума с заданной спектральной плотностью в определенном диапазоне частот.
Биполярный транзистор (Транзистор, Bipolarer Transistor, Bipolar transistor) – полупроводниковый прибор с двумя взаимодействуюшими переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.
Примечание. Работа биполярного транзистора зависит от носителей обеих полярностей.
Бездрейфовый транзистор (Ндп. Диффузионный транзистор, Diffusionstransistor, Diffusion transistor) – биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базовую область осуществляется в основном посредством диффузии.
Дрейфовый транзистор (Drifttransistor, Drif (diffased) transistor) – биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базовую область осуществляется в основном посредством дрейфа.
Точечный транзистор (Ндп. Точечно-контактный триод, Spitzentransistor, Point contact transistor) – биполярный транзистор с точечными переходами.
Плоскостной транзистор (Flachentransistor, Junction transistor) – биполярный транзистор с плоскостными переходами.
Лавинный транзистор (Lawinentransistor, Avalanche transistor) – биполярный транзистор, действие которого основано на использовании режима лавинного размножения носителей заряда в коллекторном переходе.
Полевой транзистор (Ндп. Канальный транзистор, Feldeffekttransistor (FET), Field-effect transistor) – полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемый электрическим полем.
Примечание. Действие полевого транзистора обусловлено носителями заряда одной полярности.
Полевой транзистор с изолированным затвором (Feldeffekttranastor mit isoliertelem Gate, Insulated-gate FET) – полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически изолированных от проводящего канала.
Полевой транзистор типа металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-транзистор, MIS-Feldeffekttransistor (MIS-FET), MIS-transistor) – полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется диэлектрик.
Полевой транзистор типа металл-окисел-полупроводник (МОП-транзистор, MOS-Feldeffekttransistor (MOS-FET), MOS-transistor) – полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется окисел.
Симметричный транзистор (Bidirektionaltransistor, Bi-directional transistor) – биполярный или полевой транзистор сохраняющий свои электрические характеристики при взаимной замене в схеме: включения выводов эмиттера или истока и коллектора или стока.
Тиристор (Thyristor, Thyristor) – полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три или более перехода, который может переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот.
Диодный тиристор (Динистор, Thyristordiode, Diode thyristor) – тиристор, имеющий два вывода от анодной и катодной областей полупроводниковой структуры.
Диодный тиристор, не проводящий в обратном направлении (Ruckwarts sperrende Тhyristordiode, Reverse blockings diode thyristor) – диодный тиристор, который при отрицательном анодном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии.
Диодный тиристор, проводящий в обратном направлении (Ruckwarts leitende Thyristordiode, Reverse conducting diode thyristor) – диодный тиристор, который при отрицательном анодном напряжения не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии.
Симметричный диодный тиристор (Диак, Zweirichtungsthyristordiode, Bi-directional diode thyristor) – диодный тиристор, способный переключаться как в прямом, так и в обратном направлениях.
Триодный тиристор (Тринистор, Thristordiode, Triode thyristor) – тиристор, имеющий два вывода от анодной и катодной областей полупроводниковой структуры и один вывод от управляющей.
Триодный тиристор, не проводящий в обратном направлении (Ruckwart sperrende Thyristortriode, Reverse blocking triode thyristor) – триодный тиристор, который при отрицательном анодном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии.
Примечание. Для триодных тиристоров, не проводящих в обратном направлении, допускается применять термин «тиристор», если исключается возможность другого толкования.
Триодный тиристор, проводящий в обратном направлении (Ruckwarts leitende Thyristortriode, Reverse conducting triode thyristor) – триодный тиристор, который при отрицательном анодном напряжении не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямим напряжением в открытом состоянии.
Симметричный триодный тиристор (Триак, Zweirichtllngsthmstortrio, Bi-directional triode thyristor Triac) – триодный тиристор, который при подаче сигнала на его управляющий электрод включается как в прямом, так и в обратном направлениях.
Запираемый тиристор (Abschaltbarer Thyristor, Turm-off thyristor) – тиристор, который может быть переключен из открытого состояния в закрытое и наоборот при подаче на управляющий электрод управляющих сигналов соответствующей полярности.
Тиристор с инжентирующим управляющим электродом p-типа (Anodenseitig gesteuerter Thyristor, Р-gate thyristor) – тиристор, у которого вывод управляющего электрода соединен с p-областью, ближайшей к катоду, который переводится в открытое состояние при подаче на управляющий электрод положительного, по отношению к катоду сигнала.
Тиристор с ннжектируюшнм управляющим электродом n-типа (Anodenseitig gesteuerter Thyristor, N-gate thyristor) – тиристор, у которого вывод управляющего электрода соединен с n-областью, ближайшей к аноду, который переводится в открытое состояние при подаче на управляющий электрод отрицательного по отношению к аноду сигнала.
Лавинный триодный тиристор, непроводящий в обратном направлении (Avalanche reverse blocking thyristor) – тиристор с заданными характеристиками в точке минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольтамперной характеристики обратного непроводящего состояния.
Комбинированно-выключаемый тиристор – тиристор, выключаемый с помощью тока управления при одновременном воздействии обратного анодного напряжения.
Импульсный тиристор (Pulse thyristor) – тиристор, имеющий малую длительность переходных процессов и предназначенный для применения в импульсных режимах работы.
Оптоэлектронный полупроводниковый прибор (Optoelektronisches Halbleiterbauelement, Semiconductor optoelectronic device) – полупроводниковый прибор, излучающий или преобразующий когерентное или некогерентное электромагнитное излучение или чувствительный к этому излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра, или использующий подобное излучение для внутреннего взаимодействия его элементов.
Полупроводниковый излучатель (Halblelterstrahler, Semiconductor photoemitter) – оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий электрическую энергию в энергию электромагнитного излучения в оптической области спектра.
Полупроводниковый знакосинтезирующий индикатор (Semiconductor character display) ГОСТ 25066-81
Полупроводниковый приемник излучения оптоэлектронного прибора (Приемник излучения) – оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий энергию оптического излучения в электрическую энергию от полупроводникового излучателя и работающего в паре с ним.
Оптопара (Optoelektronischer Koppler, Photocoupler, optocoupler) – оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучающего и фотоприемного элементов, между которыми имеется оптическая связь и обеспечена электрическая изоляция.
Резисторная оптопара – оптопара с фотоприемным элементом, выполненном на основе фоторезистора.
Диодная оптопара – оптопара с фотоприемным элементом, выполненном на основе фотодиода.
Транзисторная оптопара – оптопара с фотоприемным элементом, выполненном на основе фототранзистора.
Тиристорная оптопара – оптопара с фотоприемным элементом, выполненном на основе фототиристора.
Полупроводниковый прибор отображения информации (Lichtemitteranzeige (LEA), Semiconductor optoelectronic display) – полупроводниковый излучатель энергии видимой области спектра, предназначенный для отображения визуальной информации.
Дифференциальная диодная оптопара – диодная оптопара, в которой два близких по определяющим параметрам фотодиода принимают световой поток от одного излучателя.
Тиристорная оптопара с симметричным выходом – тиристорная оптопара с симметричным диодным или триодным фототиристором.
Светоизлучающий диод (Lichtemitterdiode (LED), Light-emitting diode (LED)) – полупроводниковый диод, излучающий энергию в видимой области спектра в результате рекомбинации электронов и дырок.
Полупроводниковый экран (Semiconductor analog indicator) – полупроводниковый прибор, состоящий из светоизлучающих диодов, расположенных вдоль одной линии и содержащий n строк светоизлучающих диодов, предназначенный для использования в устройствах отображения аналоговой и цифровой информации.
Инфракрасный излучающий диод (Infrarotemitterdiode (IRED), Infra-red-emitting diode) – полупроводниковый диод, излучающий энергию в инфракрасном диапазоне спектра в результате рекомбинации электронов и дырок.
Фотодиод – ГОСТ 21934-83
Фототранзистор
Фоторезистор
Фототиристор – тиристор, в котором используется фотоэлектрический эффект.
Оптоэлектронный коммутатор аналогового сигнала – оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения со схемой коммутации аналогового сигнала на выходе.
Оптоэлектронный коммутатор нагрузки – оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения со схемой коммутации тока на выходе.
Оптоэлектронный коммутатор постоянного тока – оптоэлектронный коммутатор нагрузки со схемой коммутации по цепям постоянного тока.
Оптоэлектронный коммутатор переменного тока – оптоэлектронный коммутатор нагрузки со схемой коммутации по цепям переменного тока.
Оптоэлектронный переключатель логических сигналов – оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения со схемой логического ключа на выходе.
Линейный оптоэлектронный полупроводниковый прибор – оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из дифференциальной оптопары или двух диодных оптопар и предназначенный для преобразования сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции.
Октрон – оптоэлектронный полупроводниковый прибор, в котором оптическая связь между излучателем и приемником излучения осуществляется по открытому оптическому каналу.
Отражательный октрон – октрон, в котором приемник излучения принимает световой поток, отраженный от излучателя.
Щелевой октрон – октрон, в котором между излучателем и приемником излучения для управления световым потоком устанавливают светонепроницаемую заслонку.
Волстрон – оптоэлектронный полупроводниковый прибор, в котором оптическая связь между излучателем и приемником излучения осуществляется по протяженному оптическому каналу.
Примечание. Излучатель и приемник излучения могут иметь схемы электронного обрамления.
Оптопреобразователь – оптоэлектронный полупроводниковый прибор с одним или несколькими p-n переходами, работающий в режиме передачи и (или) приема оптического излучения.
Линейка оптоэлектронных полупроводниковых приборов – совокупность оптоэлектронных полупроводниковых приборов, расположенных с заданным шагом на одной линии.
Матрица оптоэлектронных полупроводниковых приборов – совокупность оптоэлектронных полупроводниковых приборов, сгруппированных по строкам и столбцам.
Элементы конструкции
Вывод полупроводникового прибора (Anschluss eines Halbleiterbauelementes, Terminal of a semiconductor device) – элемент конструкции корпуса полупроводникового прибора, необходимый для соединения соответствующего электрода с внешней электрической цепью.
Основной вывод полупроводникового прибора (Basisanschluss eines Halbleiterbauelementes, Main terminal) – вывод, через который протекает основной ток.
Катодный вывод полупроводникового прибора (Katodenanschluss eines Halbleiterbauelementes, Cathode terminal of a semiconductor device) - вывод, от которого прямой ток течет во внешнюю электрическую цепь.
Анодный вывод полупроводникового прибора (Anodenanschluss eines Halbleiterbauelementes, Anode terminal of a semiconductor device) – вывод, к которому прямой ток течет из внешней электрической цепи.
Управляющий вывод полупроводникового прибора (Gate terminal of a semiconductor device) – вывод, через который течет, только ток управления.
Корпус полупроводникового прибора (Gehause eines Halbleiterbauelementes, Package of a semiconductor device) – часть конструкции полупроводникового прибора, предназначенная для защиты от воздействия окружающей среды, а также для присоединения прибора к внешним схемам с помощью выводов.
Бескорпусный полупроводниковый прибор (Gehauseloses Halbleiterbauelement, Beam lead semiconductor device) – полупроводниковый прибор, защищенный корпусом и предназначенный для использования в гибридных интегральных микросхемах, герметизируемых блоках и аппаратуре.
Полупроводниковый излучающий элемент – часть полупроводникового прибора отображения информация, состоящая из излучающей поверхности и контактов для подключения к электрической схеме.
Электрод полупроводникового прибора (Electrode of a semiconductor device) – часть полупроводникового прибора, обеспечивающая электрический контакт между определенной областью полупроводникового прибора и выводом.
Страницы: 1, 2, 3
