Рефераты. Основные качества полупроводников

Выпрямительные столбы и блоки (подкласс Ц):

1                   — для столбов с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;

2                   — для столбов с постоянным или средним значением прямого тока 0,3 ... 10 А;

3                   — для блоков с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;

4                   — для блоков с постоянным или средним значением прямого тока 0,3 ... 10 А.

Варикапы (подкласс В):

1                   —для построечных варикапов;

2                   — для умножительных варикапов.

Туннельные диоды (подкласс И):

1                   — для усилительных туннельных диодов;

2                   — для генераторных туннельных диодов;

3                   — для переключательных туннельных диодов;

4                   — для обращённых диодов.

Сверхвысокочастотные диоды (подкласс А):

1                   — для смесительных диодов;

2                   — для детекторных диодов;

3                   — для усилительных диодов;

4                   — для параметрических диодов;

5                   — для переключательных и ограничительных диодов;

6                   — для умножительных и настроечных диодов;

7                   — для генераторных диодов;

8                   — для импульсных диодов.

Стабилитроны (подкласс С):

1                   — для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В;

2                   — для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации 10 ... 100 В;

3                   — для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В;

4 — для стабилитронов мощностью 0,3 .. 5 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В;

5 — для стабилитронов мощностью0,3.. 5Втсноминальнымнапряжением

стабилизации 10...100 В;

6 — для стабилитронов мощностью0,3.. 5Втсноминальнымнапряжением

стабилизации более 100 В;

7 — для стабилитронов мощностью5 .10Втсноминальнымнапряжением

стабилизации менее 10 В;

8                   — для стабилитронов мощностью 5 . 10 Вт с номинальным напряжением стабилизации 10... 100 В;

9                   — для стабилитронов мощностью 5 . 10 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 B.

Генераторы шума (подкласс Г):

1                   — для низкочастотных генераторов шума;

2                   — для высокочастотных генераторов шума.

Диодные тиристоры (подкласс Н):

1                   — для тиристоров с максимально допустимым значением прямого тока не более 0,3 А;

2                   — для тиристоров с максимально допустимым значением прямого тока более 0,3 А, но не свыше 10 А.

Триодные тиристоры (подкласс У):

Незапираемые тиристоры:

1                   — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А;

2                   — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии 0,3 . 10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии 15 ... 100 А;

7 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А.

Запираемые тиристоры:

3                   — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А;

4                   — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии 0,3 . 10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии 15 ... 100 А;

8                   — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А,

Симметричные тиристоры:

5                   — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А;

6                   — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии 0,3 . 10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии 15 ... 100 А;

9                   — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А.

Четвёртый элемент - число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа. Для обозначения порядкового номера разработки используется двухзначное число от 01 до 99. Если порядковый номер разработки превысит число 99, то в дальнейшем используют трёхзначное число от 101 до 999.

Пятый элемент - буква, условно определяющая классификацию (разбраковку по параметрам) приборов, изготовленных по единой технологии.

В качестве классификационной литеры используют буквы русского алфавита (за исключением букв З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Я, Ь, Ъ, Э).

В качестве дополнительных элементов обозначения используют следующие символы:

цифры 1 . 9 для обозначения модификаций прибора, приводящих к изменению его конструкции или электрических параметров;

букву С для обозначения сборок - наборов в общем корпусе однотипных приборов, не соединенных электрически или соединенных одноименными выводами;

цифры, написанные через дефис, для обозначений следующих модификаций конструктивного исполнения бескорпусных приборов:

1                   —с гибкими выводами без кристаллодержателя;

2                   — с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке);

3                   — с жёсткими выводами без кристаллодержателя (подложки);

4                   — с жёсткими выводами на кристаллодержателе (подложке);

5                   — с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) и без выводов;

6                   — с контактными площадками на кристаллодержателе без выводов.

Буква Р после последнего элемента обозначения - для приборов с парным подбором, буква Г - с подбором в четвёрки, буква К - с подбором в шестёрки.

Для приборов, изготовленных до 1982 года действовала другая система обозначений. Условные обозначения состояли из двух или трёх элементов.

Первый элемент обозначения - буква Д, характеризующая весь класс полупроводниковых диодов.

Второй элемент обозначения - число (номер), которое указывает на область применения:

от 1 до 100 — для точечных германиевых диодов;


от 101

до

200 —

для точечных кремниевых диодов;

от 201

до

300 —

для плоскостных кремниевых диодов;

от 301

до

400 —

для плоскостных германиевых диодов;

от 401

до

500 —

для смесительных СВЧ детекторов;

от 501

до

600 —

для умножительных диодов;

от 601

до

700 —

для видеодетекторов;

от 701

до

749 —

для параметрических германиевых диодов;

от 750

до

800 —

для параметрических кремниевых диодов;

от 801

до

900 —

для стабилитронов;

от 901

до

950 —

для варикапов;

от 951

до

1000 —

для туннельных диодов;

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14



2012 © Все права защищены
При использовании материалов активная ссылка на источник обязательна.