Если Lнеосн (Б) < L(Б), то диод с длиной базой.

В нашем варианте рассматривается диод с короткой базой т.к.

Lнеосн (Б) = 3,54×10-5м, L(Б)=1×10-5м, Lнеосн (Б) > L(Б)).

При смене типа материала с Ge на Si диффузионная длинна неосновных носителей в эмиттере уменьшается.

При увеличении сечения захвата на 1% (при фиксированных N и Т=300°К) диффузионная длина неосновных носителей в базе уменьшается на 0,56%.

Чем меньше примесей и дефектов в полупроводнике, тем больше время жизни носителей, и соответственно диффузионная длина этих носителей.

3.                Исследование модели тока насыщения IS идеального диода в модели Шокли

Модель тока насыщения идеального диода описывается формулой Шокли:

где S – площадь поперечного сечения перехода

LP и Ln – диффузионная длина электронов и дырок

tP и tP – время жизни электронов и дырок

ND и NA – концентрация ионизированных атомов.

Если сечение захвата увеличить на 1% (при фиксированных N и T=300°К), то ток насыщения увеличится на 0,5%.

Если площадь поперечного сечения увеличить на 1% (при фиксированных N и T=300°К), то ток насыщения увеличится на 1%

Таким образом, чувствительность тока насыщения к изменению к площади поперечного сечения выше, чем к изменению сечение захвата.

П/п диода выполняет роль выпрямителя, пропуская ток лишь в одном направлении (выпрямитель тем лучше, чем меньше Iобр). При  комнатной температуре ток Is составляет несколько мкА для Ge диодов и несколько нА для Si диодов.

4.                Исследование модели контактной разности потенциалов

Модель контактной разности потенциалов описывается следующим выражением:

NA и ND – концентрация ионизированных атомов

ni – собственная концентрация.

При смене типа материала с Ge на Si контактная разность потенциалов увеличивается.

Контактная разность потенциалов напряжение, который возникает в условии термодинамическом равновесие и ведет к прекращению диффузионного тока. При увеличении температуры, контактная разность уменьшается.

5.                Исследование модели толщины ОПЗ

Модель толщины ОПЗ описывается выражением:

NA и ND – концентрация ионизированных атомов

φК – контактная разность потенциалов.

Зависимость положения границ ОПЗ

а) в зависимость от концентраций в Б и Э при Т=300°К

б) в зависимости от температуры при фиксированном N.

При смене типа материала с Ge на Si толщина ОПЗ увеличивается.

Зависимость толщины ОПЗ при Т=300°К от U при прямом и обратном смещениях напряжения на диоде.

Толщина ОПЗ при увеличении температуры уменьшается незначительно.

Снижение высоты потенциального барьера при U>0 позволяет основным носителям пересекать область перехода, при этом они становятся неосновными носителями, создавая заметный ток (при ­Uпр, W¯). При U<0 эффекты диффузии более ощутимы, чем эффекты дрейфа (при ­Uобр, W­).

Часть №2

1.                Исследование влияния температуры и концентрации примесей в База на вид ВАХ для PSPICE модели идеального диода

Модель ВАХ идеального диода:

Is – ток насыщения

φT – тепловой потенциал.

Модель идеального диода в логарифмическом масштабе:

Изменение концентрации примеси в базе влияет на ток насыщения (при увеличении концентрации, ток насыщения уменьшается), при этом ВАХ изменяется следующим образом:

Т=300°К

Т+50=350°К

Для реальных переходов величина Is не является постоянной и в момент зависеть от напряжения, приложенного к переходу.

Это может быть вызвано, например, изменением свойств п/п (время жизни носителей, концентрации примесей) по объему Is в основном определяется удельным сопротивлением материала – с ­ρ, Is­ (что обусловлено увеличением концентрации неосновных носителей).

2.                 Исследование влияния процессов генерации-рекомбинации в ОПЗ на вид ВАХ для PSPICE модели диода

Уточненная модель ВАХ диода при прямом смещении с учетом процессов генерации-рекомбинации в ОПЗ:

φК – контактная разность потенциала

М – коэффициент лавинного умножения

ISR – ток насыщения ток рекомбинации

m – коэффициент неидеальности.

Влияние процессов генерации-рекомбинации (параметр N) на вид ВАХ: