h = 2·0,5tg(3/2) = 0,026 м.

Выбираем газоразрядный индикатор ИН-23.

Внешний вид, цоколевка и условно- графическое обозначение индикатора ИН-23 - показаны на рисунке 6.

Рисунок 6 - Газоразрядный индикатор ИН-23

ИН-23 – индикатор буквенно-цифровой одноразрядный газоразрядный предназначен для отображения информации в виде букв русского, латинского, греческого алфавитов, цифр, символов и других специальных знаков в средствах отображения информации индивидуального пользования. Индикация – боковая.

Корпус стеклянный миниатюрный. Масса не более 30 г.

Технические характеристики:

Цвет свечения…………………………………..оранжево-красный

Яркость свечения, кд/м……………………..................200

Угол обзора, град………………………………………..100

Напряжение, В:

источника питания……………………………………..200

возникновения и поддержания разряда……………….170

Ток, мА………………………………………………….0,3 – 3,0

Для образования цифр или букв рекомендуется соединять выводы индикатора согласно таблице 2.

Таблица 2- Выводы индикатора.

Рассчитаем параметры схемы блока генератора тактовых импульсов.

Рисунок 7 – Принципиальная схема блока ГТИ.

В качестве генератора тактовых импульсов (ГТИ) используем микросхему КР580ГФ24.

ГТИ формирует:

- две фазы С1, С2 с положительными импульсами, сдвинутыми во времени, амплитудой 12 В и частотой 2 МГц;

- стробирующий сигнал состояния STB;

- тактовые сигналы С, синхронные с фазой С2, амплитудой напряжения уровня ТТЛ (0,4 В – 2,4 В).

- сигнал "Установка в исходное состояние" SR;

- сигнал "Готовность" RDY;

Для стабилизации тактовых сигналов опорной частоты ко входам XTAL1, XTAL2 генератора подключают кварцевый резонатор BP1, частота которого должна быть в 9 раз выше частоты выходных сигналов С1, С2.

Выберем кварцевый резонатор РВ-11 на 18 МГц, который имеет следующие параметры:

- диапазон частот, МГц 4,5 - 100

- добротность, 103 80 – 300

- емкостное отношение, 10-3 5 – 0,15

- динамическое сопротивление, Ом 5 – 75

- статическая емкость C0, пФ 3 – 6

- допустимое относительное отклонение частоты, 10-6 ±10

При частоте резонатора более 10 МГц необходимо последовательно в цепи резонатора включить конденсатор С1.

 (1)

где fэ – эквивалентная частота последовательно соединенного конденсатора и резонатора, Гц;

f – собственная частота кварцевого резонатора;

Cк – динамическая емкость резонатора, Ф;

C0 = 3,3 пФ – статическая емкость резонатора;

 МГц;

где fc = 2 МГц – частота тактовых импульсов.

Динамическую емкость резонатора можно определить как

где m = 5 ∙ 10-3 – емкостное отношение.

Ф;

За собственную частоту резонатора примем частоту отклонения от номинальной с учетом допустимого относительного отклонения частоты:

Гц;

Определим емкость конденсатора С1:

МкФ;

Выберем конденсатор С1: КМ-4 820 пФ.

Вход TANK предназначен для подключения колебательного контура, работающего на высших гармониках резонатора, для стабилизации тактовых сигналов опорной частоты. В нашей системе этот вход не используется, поэтому мы его заземляем.

Тактовые сигналы с выхода OSC, синхронные с сигналами опорной частоты, используются для одновременной синхронизации нескольких генераторов. В нашей системе эти сигналы не используются.

Стробирующий сигнал состояния STB формируется при наличии на входе SYN напряжения высокого уровня, поступающего с выхода микропроцессора в начале каждого машинного цикла. Сигнал STB используется для занесения информации состояния микропроцессора в системный контроллер для формирования сигналов управления.

Вход RDYIN предназначен для работы либо с медленнодействующими устройствами, либо для организации покомандного выполнения программы микропроцессором с частотой тактовых импульсов. Поэтому на этот вход подадим напряжение уровня логической единицы, подключив его к шине питания Uпит = +5 В через резистор R1.

Сопротивление R1 найдем из следующих соображений: верхним пределом сопротивления является значение, которое обеспечивает на входе микросхемы минимальное напряжение высокого уровня при максимальном входном токе.

 (2)

где Uпит = 5 В – напряжение питания микросхемы;

U1вх = 2,6 В – минимальное входное напряжение высокого уровня для входа RDYIN;

I1вх = 0,1 мА – максимальный входной ток высокого уровня;

 кОм.

Минимальное значение R1 определяется ограничением значения входного тока. Примем, что на этом сопротивлении падает напряжение, равное 0,5% от напряжения питания, тогда:

 (3)

Ом.

Значение сопротивления R1 лежит в пределах от 250 Ом до 24 кОм. Примем R1 = 1 кОм.

Мощность рассеяние R1:

 (4)

Вт

Выберем резистор R1: МЛТ-0,125 1кОм ± 5%.

Для осуществления системного сброса необходимо на вход RESIN подать сигнал низкого уровня, который появляется на выходе SR в виде сигнала высокого уровня. Длительность сигнала RESIN определяется наибольшим временем сброса микросхем, участвующих в работе системы. В нашей системе это ПККИ КР580ВВ79, сброс которого осуществляется не менее, чем за 6 тактов. Период одного такта микропроцессора:

мкс.

Для надежности число тактов сброса возьмем 10.

Тогда длительность сигнала RESIN:

мкс.

Система начального сброса (СНС) состоит из RC-цепочки (R2-C2), обеспечивающей заданную длительность сигнала RESIN, диода VD1, предназначенного для разряда конденсатора, и кнопочного выключателя SA1.

Допустимое обратное напряжение, прикладываемое к диоду должно быть больше напряжения питания +5 В. Необходимо также учесть, что время восстановления запирающих свойств диода tвосст должно быть меньше периода одного такта микропроцессора, т.е. tвосст<Tc.

Выберем диод 2Д509А, имеющий следующие параметры:

- максимальное обратное напряжение, Uобр max 50 В

- максимальный импульсный ток, Iим max 1,5 А

- средний ток, Iср 100 мА

- время восстановления запирающих свойств, tвосст 4 нс

Т.к. значения входного напряжения и тока высокого уровня для сигнала RESIN такие же, как и у сигнала RDYIN, то резистор R2 рассчитывается аналогично резистору R1. Выберем резистор R2: МЛТ-0,125 1 кОм ± 5%.

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10