Временная диаграмма работы таймера в этом случае будет выглядеть следующим образом.:
· Операционный усилитель: К140УД9
±5..±15 В
Напряжение смещения, Uсм
5 мВ
Входной ток, Iвх
350 нА
Частота единичного усиления, fпр(f1)
1 МГц
Vuвых
0.2 В/мкс
Коэффициент усиления
68 Дб
Потребляемая мощность
240 мВт
· Транзистор VT1: A747C
Материал
Si
Максимальный ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение коллектор-эммитер в режиме отсечки
50 В
Мощность транзистора
220 мВт
Коэффициент передачи по току
600
· Транзистор VT2: 2SD1373
3 А
300 В
Максимальное напряжение перехода коллектор-база, смещенного в обратном направлении
2.5 Вт
200
· Транзистор VT3: 2SC3991N
50 А
Максимальный ток коллектора в импульсном режиме
95 А
500 В
800 В
300 Вт
50
· Резистор R1: 0.2 Ом; 500-1500 Вт
· Резистор R2: 50 Ом
· Резистор R3: 220 Ом
· Резистор R4: 4.5 кОм
· Резистор Rб:
· Резистор Rt: 1.5 кОм
· Конденсатор Ct: 6 мкф
· Микросхема таймера 555: КР1006ВИ1
от +5 до +15 В
не более 100 мА
не более 50 мВт
Минимальная длительность импульса, генерируемая таймером
20 мкс
при питании +5 В таймер совместим с микросхемами серии ТТЛ
· Инвертор на выходе таймера: КМ555ЛА3
4 элемента 2И-НЕ
Максимальное напряжение питания
5.5 В
Выходной ток низкого уровня
не более 4 мА
Выходной ток высокого уровня
не более –0.4 мА
Выходное напряжение низкого уровня
не более 0.4 В
Выходное напряжение высокого уровня
не менее 2.5 В
4. Детальный расчет
Пусть транзистор VT1 работает в режиме отсечки, Uвх = 10 В. Тогда, на R1 будет также падать Uвх и потечет ток Iн = 50 А.
Транзистор VT3 работает в линейном режиме и в базу втекает ток:
IбVT3 = 50 A / 50 = 1 A;
На R3 падает напряжение лыжи, для кремниевого диода оно составляет 0.75 В. При R2 = 50 A на резистор ответвляется ток:
IR3 = 0.75 В / 50 Ом = 15 мА;
Это пренебрежимо мало, по сравнению с 1А. При коэффициенте передачи 200, в базу транзистора VT2 втекает ток, равный 5 мА.
Рассмотрим ситуацию, когда входное напряжение равно 1 В. Через транзистор VT3 потечет ток, равный 5 А, в базу VT3 втекает ток 100 мА, на резистор R3 ответвляется также ток 15 мА. В этом случае в базу VT2 втекает ток:
IбVT2 = 85 мА / 200 = 0.4 мА
При максимальном входном напряжении в базу транзистора втекает ток
IбVT2 = 5 мА
Поскольку операционный усилитель питается от напряжения ±15 В, больше 13 В в силу конструктивных особенностей в линейном режиме он обеспечить не может. Поэтому, считаем, что при максимальном напряжении питания, выходной потенциал равен 13 В. Потенциал базы VT2 равен 11.5 В. Тогда номинал R3:
R3 = (13 В – 11.5 В)/5 мА = 220 Ом
Пусть теперь транзистор VT1 работает в режиме насыщения, отключая обратную связь операционного усилителя. Потенциал базы VT2 падает практически до нуля: образуется резистивный делитель R3 – переход коллектор-эммитер насыщенного транзистора VT1. Через этот переход течет ток, порядка:
Iкэ = 13.5 / 245 Ом = 55 мА.
Коэффициент усиления по току VT1 равен 600, поэтому даже ток в 0.4 мА, поступающий из схемы одиночного запуска с таймером 555, способен перевести VT1 в режим насыщения. Выбираем номинал резистора, учитывая выходные параметры микросхемы ТТЛ:
R4 = (2.5 В – 0.75 В) / 0.4 мА = 4.37 кОм.
Выбираем R4 порядка 4.7 кОм.
5. Принципиальная схема устройства
1. М.Х. Джонс Электроника – практический курс. Москва: Постмаркет, 1999 г.
2. Кауфман М., Сидман А. Г. Практическое руководство по расчетам схем в электронике: Справочник. – М: Энергоатомиздат, 1991 г.
3. Зарубежные интегральные микросхемы: Справочник / А.Ф. Нефедов и др. – М.: КубК-а, 1995 г.
4. Шило В. Л. Линейные интегральные схемы в радиоэлектронной аппаратуре. – М.: Сов. Радио, 1979.
Страницы: 1, 2