Рефераты. Аналогові електронні пристрої

Аналогові електронні пристрої

Зміст


1. Задача №1. Однокаскадний підсилювач

Графоаналітичний розрахунок робочого режиму

Розрахунок параметрів транзистора

Розрахунок кіл зміщення каскаду

2. Задача №2. Підсилювач потужності середнього класу якості

Вибір схеми підсилювача

Висновок

Література

Додатки


1. Задача № 1. Однокаскадний підсилювач


Завдання:

Розрахувати каскад підсилення на біполярному транзисторі за параметрами:

діапазон частот підсилювальних коливань 20Гц...12 кГц;

опір навантаження Rн = 5 кОм;

напруга джерела живлення Ек = 15,0 В;

опір резистора навантаження Rк = 1,0 кОм;

амплітуда змінного струму бази Іmб = 0,045 мА;

допустима потужність розсіювання на колекторі Рк. макс = 240 мВт.


Рисунок 1.1 - Схема каскаду підсилення, що розраховується.


Аналіз схеми. Каскад підсилення, що наведено на рис.1.1, є підсилювачем напруги. Вихідна напруга з'являється внаслідок протікання колекторного струму ік по резистору навантаження Rн (перетворення струму у напругу). Вхідна змінна напруга Uвх подається через розділювальний конденсатор Ср1 на перехід база - емітер, вона змінює струм бази іб, якій викликає набагато більший струм ік, котрий викликає падіння напруги ік Rн.

Транзистор ввімкнутий за схемою зі спільним емітером: джерело сигналу, емітер та навантаження каскаду мають спільну точку. Схема містить кола живлення з фіксованою напругою Uбе й емітерну стабілізацію робочої точки, яка ґрунтується на послідовному негативному зворотному зв’язку НЗЗ через резистор Rе. Напруга UR2 >URе на 0,1...0,5В, і транзистор відкритий, тобто перехід база-емітер зміщені у прямому напрямку при відсутності вхідного сигналу. Конденсатором Се заблоковано резистор Rе за змінним струмом. Місцевий НЗЗ, потрібний для стабілізації показників підсилювача та зниження спотворень.

Розрахунок схеми вибираємо графоаналітичний метод розрахунку робочого режиму транзистора.

Графоаналітичний розрахунок робочого режиму


За початковими даними вибираємо транзистор виходячи з того, що пряма навантаження на вихідних характеристиках повинна перетинати сімейство тих характеристик, що забезпечують потрібний розмах вхідного струму. Один з таких транзисторів - КТ 312А. Його параметри:


Ik max = 30 mA.

Uкэ max = 20 В.

Uкб max = 20 В.

Pк max = 225 мВт.

h21э = 10 - 100.

fгр = 300 МГц.


1. Схема використовується для підсилення малих сигналів без спотворень. Напруга змінного сигналу може мати як позитивне, так і негативне значення. Тому й при рівному нулю вхідному сигналі (режим спокою) у транзисторі повинні існувати струми бази та колектора, а для розрахунку робочого режиму транзистора потребуються сімейства вхідних і вихідних характеристик. Які для даного транзистора приведені в додатку А.

2. На сімействі вихідних ВАХ наводимо криву максимально допустимої потужності. Для цього надаємо різні значення Uке в межах значень наведеної характеристики, обчислюємо струм колектора за формулою:


Iк = Рк. макс / Uке. (1.1)


та з’єднуємо отримані точки.

3. Хід навантажувальної прямої за постійним струмом і положення робочої точки визначається точкою Ек на вісі абсцис, при цьому пряма перетинає вісь ординат в точці за формулою:


. (1.2)


Через ці позначені точки необхідно провести пряму навантаження.

Опір Rе потрібно визначити виходячи з таких міркувань. Для підвищення коефіцієнта стабілізації збільшують Rе наскільки дозволяє джерело та зменшують


Rб = R1/R2 (1.3)


Але при малому Rб зростає струм споживання транзистора та погіршуються його енергетичні показники. Як правило,

URе = (0,15…0,2) ∙ Ек. (1.4)

URе = 0,2 ∙ 15 = 3 В.

Орієнтуючись на типовий режим транзистора Uке = 5В,

Іко = Іе = 1…5 мА.

Приймаємо значення Іко = 5мА і визначаємо Rе за формулою:


Rе = URе / Іе. (1.5)


Rе = 3/5 ∙10-3 = 600 Ом.

Отже із ряду номіналів Е24 приймаємо резистор рівний 600 Ом.

Визначаємо його потужність


PR = I2 ∙ R (1.6)


PRе = (5 ∙10-3) 2 ∙ 600 = 0,015 Вт.

Приймаємо потужність резистора рівною 0,125 Вт.

За формулою 1.2 розраховуємо Iк

 = 9,4 мА.

та відмічаємо Ік на графіку 1 (додаток А), будуємо навантажувальну пряму.

4. Обираємо на навантажувальної прямої положення робочої точки спокою А так, щоб забезпечити задану зміну змінної складової струму бази Іmб в позитивному та негативному напрямках. Робоча точка визначить постійну складову струму бази Ібо, яка дорівнює 150 мкА (струм бази в режимі спокою), постійну складову струму колектора Іко (струм колектора в режимі спокою), постійну складову напруги на колекторі Uкео (наруга спокою на колекторі), яка дорівнює 12 В.

5. Амплітуда змінної складової струму колектора


Іmк = (Ік макс - Ік мін) / 2 (1.7)


Іmк = (7 - 3,5) / 2 = 1,75 мА.

6. Амплітуда змінної напруги на навантаженні

Um н = Іmк ∙ Rк. (1.8)


Um н = 1,75 ∙10-3 ∙ 1 ∙ 103 = 1,75 В.

7. Коефіцієнт підсилення за струмом


КІ = Іmк / Іmб. (1.9)


КІ = 1,75 ∙10-3/45 ∙10-6 = 39.

8. Вихідна потужність


Рвих = 0,5 ∙ Іmк ∙ Um н. (1.10)


Рвих = 0,5 ∙ 1,75 ∙10-3 ∙ 1,75 = 1,53 мВт.

9. Потужність, що споживається в колекторному колі


Рспож = Ек ∙ Іко. (1.11)


Рспож = 15 ∙ 5 ∙ 10-3 = 0,075 Вт.

10. ККД колекторного кола


h = Рвих /Рспож ∙ 100%. (1.12)


h = (1,53 ∙10-3/0,075) ∙ 100 = 2,04%

11. На вхідній ВАХ, графік 2 додаток А, позначаємо точку А, котра відповідає Ібо, і за графіком знаходимо Uбео = 0,7 В, а для значень Ібмакс і Іб мін (точка Б і В на графіку) - відповідно Uбе макс = 0,77 В і Uбе мін = 0,71 В.

12. Амплітуда вхідної напруги


Umб = (Uб макс - Uб мін) /2. (1.13)

Umб = (0,77 - 0,71) / 2 = 30 мВ.

13. Коефіцієнт підсилення за напругою


КU = Um н / Umб. (1.14)


КU = 1,75/0,03 = 58,3.

14. Коефіцієнт підсилення за потужністю


КР = КІ ∙ КU. (1.15)


КР = 39 ∙ 58,3 = 2275.

15. Вхідна потужність


Рвх = 0,5 · Іmб · Umб. (1.16)


Рвх = 0,5 · 0,045 ∙10-3 · 0,03 = 0,675 мкВт.

16. Вхідний опір


Rвх = Umб / Іmб. (1.17)


Rвх = 0,03/0,045 ∙10-3 = 667 Ом.

 

Розрахунок параметрів транзистора


1. Для отриманих значень Uкео і Іко визначимо h - параметри транзистора:

а) h21е - коефіцієнт передачі струму в режимі к. з. на виході для змінного струму за точками Г і Д на графіку 1 додаток А:


h21е= b = DІк/ DІб (1.18)

при Uке=соnst;

h21е = 12∙10-3/0,2∙10-3 = 60;

б) h22е - вихідну провідність транзистора в режимі х. х. на вході для змінного струму за точками Е і Ж на тому ж графіку:


h22е = DІк / DUке (1.19)


при Іб = соnst;

h22е = 2 ∙ 10-3/5 = 0,4 мСм;

в) h11е - вхідний опір транзистора в режимі к. з. на виході для змінного струму за точками М і Н на графіку 2 додаток А:


h11е = DUбе / DІб (1.20)

при Uке = соnst;


h11е= 40 ∙ 10-3/50 ∙ 10-3 = 800 Ом;

г) S - крутизну характеристики транзистора:


S = h21е / h11е; (1.21)


S = 60/800 = 0,075

д) Rвих - вихідний опір:


Rвих = 1/h22е. (1.22)


Rвих = 1/0,4 ∙ 10-3 = 2500 Ом.

2. Визначимо параметри каскаду за приблизними формулами та порівняємо з результатами графоаналітичного розрахунку:


КІ = h21е ∙ Rвих / (Rн + Rвих); (1.23)

КІ = 60 ∙ 2500/ (5 ∙ 103 + 2500) = 50;

за результатами графоаналітичного розрахунку КІ = 39;


Rвх = h11е = 800 Ом;


за результатами графоаналітичного розрахунку Rвх = 667 Ом;


КU = h21е ∙ Rн / Rвх; (1.24)


КU = 60 ∙ 1 ∙ 103/800 = 75

за результатами графоаналітичного розрахунку КU = 147


Кр = КІ ∙ КU (1.25)


Кр = 50∙ 75 = 3750.

Розрахунок кіл зміщення каскаду


1. Струм подільника R1 // R2


Іпод = Ек / (R1+R2) » 10 ∙ Ібо. (1.26)


Іпод » 10 ∙ 0,8 ∙ 10-3 = 0,8 мА

2. Опір резистора R2


R2 = (URе + Uбео) / Іпод. (1.27)


R2 = (3 + 0,74) / 0,8 ∙ 10-3 = 4,675 кОм.

Із ряду номіналів Е24 приймаємо резистор рівний 3,3 кОм.

Визначаємо його потужність за формулою 1.6

PR2 = (0,8 ∙ 10-3) 2 ∙ 4,675 ∙ 103 = 0,003 Вт.

Приймаємо потужність резистора рівною 0,125 Вт.

3. Опір резистора R1


R1= Ек / Іпод - R2. (1.28), R1= 15/0,8 ∙ 10-3 - 4,675 ∙ 103 = 14,075 кОм.


Із ряду номіналів Е24 приймаємо резистор рівний 14 кОм.

Визначаємо його потужність за формулою 1.6

PR1 = (0,8 ∙ 10-3) 2 ∙ 14 ∙ 103 = 0,009 Вт.

Приймаємо потужність резистора рівною 0,125 Вт.

4. Ємність, що шунтує резистор Rе


Се ³ 1/2 ∙ p ∙ ¦н ∙ R1 // R2 // h21е ∙ rе,


де вхідний опір з боку бази rе = 25/Ік = 5


Се >  (1.29)

Се >  = 29 × 10-6 Ф


Із ряду номіналів Е24 в більшу сторону приймаємо ємність рівною 30 мкФ

5. Вхідна та вихідна ємність зв’язку розраховується на нижній граничній частоті


Ср1 = 1/ 2p¦н R1 // R2 // [h21е (rе +Rш)].

Ср1 =

Ср1=  = 29 × 10-6 Ф


Із ряду номіналів Е24 в більшу сторону приймаємо ємність рівною 30 мкФ


Ср2 >

Ср2 = = 1,59 (мкФ)


Із ряду номіналів Е24 в більшу сторону приймаємо ємність рівною 1,6 мкФ


2. Задача № 2. Підсилювач потужності середнього класу якості


Завдання.

Розрахувати підсилювач потужності середнього класу якості.

Вихідні дані:

потужність на виході Rн = 50 Вт,

опір навантаження RН = 8 Ом,

напруга сигналу на вході UВХ = 1,8 В,

нижня гранична частота fН = 20Гц,

гранична частота транзисторів fa ³ 3 МГц,

режим АВ, напруга живлення - симетрична.

Вибір схеми підсилювача


Згідно до вимог, які ставляться до підсилювачів середнього класу якості, складемо таку схему (рис.2.1): вхідний каскад - диференційний на транзисторах VT1 і VT2 (відмінна стабільність за постійним струмом, між каскадами не потрібні розділювальні конденсатори, два входи), проміжний каскад - підсилювач зі СЕ на транзисторі VT3, вихідний каскад - двотактний емітерний повторювач на транзисторах VT4 і VT5, між базами яких включені діоди VD1…VD3 для зміщення каскаду в стан провідності (для поліпшення температурної компенсації діоди повинні мати тепловий контакт з вихідними транзисторами), режим роботи АВ, вихідна напруга надходить в коло зворотного зв’язку R4, R5, C2 (наявність С2 означає, що коефіцієнт зворотного зв’язку за постійним струмом дорівнює одиниці, це мінімізує дрейф і гарантує зневажено мале значення постійної напруги на виході підсилювача - тому не потрібні конденсатори на виході). За допомогою резисторів R7, R8 виконується невеликий зворотній зв’язок за струмом, який поліпшує стабільність за постійним струмом.

Страницы: 1, 2



2012 © Все права защищены
При использовании материалов активная ссылка на источник обязательна.