Рисунок 2.2 - Структурная схема USB модуля микроконтроллера АТ89С5131

Микросхема RTC4543 является микросхемой часов реального времени. Данная микросхема имеет способность сохранять данные в очень широком диапазоне напряжений, кроме того, в неактивном режиме имеет крайне малое энергопотребление, что позволяет применять для поддержания их работоспособности батареи малых габаритов. Микросхема часов обладает следующими характеристиками:

- точность работы часов (макс.) - 1 мин/мес. при температуре 25 °С;

- температурный рабочий диапазон - от минус 40 до +85 °С;

- время доступа к данным памяти - от 70 нс;

- напряжение питания - от 2,5 до 5,5 В;

- коррекция хода календаря на 100 лет;

- автоматическая коррекция високосного года.

В качестве скоростной буферной памяти будет использована микросхема IDT71V424S15YI, которая представляет собой высокоскоростное статическое ОЗУ организованное 512 к Ч 8 бит. Она произведена по фирменной высокопроизводительной и очень надежной технологии фирмы Integrated Device Technology (IDT). В неактивном режиме имеет низкое энергопотребление. Основные характеристики микросхемы:

- минимальная длительность сигнала записи - 15 нс;

- время выборки адреса - не более 12 нс;

- напряжение питания 3,3 В;

- время перехода в активный/неактивный режим - 6 нс;

- температурный диапазон хранения данных - от минус 55 до +125 °С.

Цифровая часть системы выполнена на базе ПЛИС. Это удобная в освоении и применении элементная база, альтернативы которой в данном случае не существует. Последние годы характеризуются резким ростом плотности упаковки элементов на кристалле и резким падением цен на ПЛИС, что позволило широко применять ПЛИС в системах обработки сигналов. Высокое быстродействие и упаковка на кристалле достаточного объёма памяти однозначно определили выбор ПЛИС.

В разработанной системе применена микросхема ПЛИС EPF10K30AQI240-3 фирмы Altera Corporation семейства FLEX 10KA. Такой выбор обусловлен тем, что семейство FLEX10KA является наиболее доступным. Только это семейство имеет градацию скорости 3, которая удовлетворяет необходимым требованиям. Выбранная ПЛИС имеет 6 встроенных блоков памяти емкостью 2048 бит, корпус TQFP-240 коммерческого исполнения. Напряжение питания микросхемы EPF10K30AQI240-3 составляет +3,3 В. Данная микросхема обеспечивает достаточное быстродействие и обладают необходимым для системы регистрации данных объемом встроенных блоков памяти ЕАВ. Микросхемы EPF10K30AQI240-3 поддерживает программирование и реконфигурирование в системе, это означает, что программирование проходит в составе системы без использования программатора на смонтированной плате, причем программирование ПЛИС или конфигурационного ПЗУ может производиться многократно. Программирование производится по стандартному JTAG интерфейсу (используется стандарт IEEE Std. 1149.1-1990). Для программирования и загрузки конфигурации ПЛИС используется кабель ByteBlasterMV.

Так как выбранная микросхема ПЛИС выполнена по технологии SRAM, требующей загрузки конфигурации при включении питания, в системе необходимо использовать конфигурационное ПЗУ. В качестве конфигурационного ПЗУ была выбрана микросхема EPC2TI32, которая, так же как и ПЛИС, поддерживает программирование в системе по стандарту JTAG.

Основной накопитель выполнен на базе микросхемы ФЛЭШ K9K49G08U0M емкостью 4 Гбит с резервом емкостью 128 Мбит организованы как 512 М Ч 8 бит. Технология И-НЕ обеспечивает наилучшее соотношение «цена-качество» на рынке полупроводниковых запоминающих устройств. Операция записи страницы объемом 2112 байт может быть выполнена за 200 мкс. Операция стирания блока объемом 128 Кбайт может быть выполнена за 2 мс. Данные со страницы данных могут быть прочитаны циклами по 30 нс на байт. Выводы I/O служат как двунаправленный порт для ввода команд, адреса и ввода/вывода данных. Внутренний контроллер записи автоматизирует все функции записи и стирания, включая частоту повторения импульсов там, где это необходимо, а также внутреннюю верификацию и ограничение данных. Даже интенсивно записывающие системы могут воспользоваться преимуществами расширенной достоверности 100 Kциклов записи/стирания K9K4G08U0M, обеспечивая ЕСС (код исправления ошибок) по алгоритму отображения в реальном времени. Микросхемы K9K4G08U0M являются оптимальным решением для применения в разрабатываемой системе регистрации данных в качестве твердотельного накопителя большого объема памяти.

Микросхема K9K4G08U0M - это память объемом 4224 Мбит, организованная как 262144 строки (страницы) по 2112Ч8 столбцов. Запасные 64 столбца находятся по адресам начатая с 2048 по 2111. 2112-ти байтовый регистр данных и 2112-ти байтовый кэш-регистр последовательно соединен с остальными. Эти последовательно соединенные регистры соединены с массивом ячеек памяти, для согласования передачи данных между I/O буферами и ячейками памяти при операции чтения или записи страницы. Массив памяти складывается из 32-х ячеек, последовательно соединенных для формирования И-НЕ структуры. Каждая из 32 ячеек находятся на различных страницах. Блок состоит из 2 строк с И-НЕ структурой. И-НЕ структура состоит из 32 ячеек. Всего в блоке 1081344 И-НЕ ячеек. Операции чтения и записи выполняются постранично, тогда, как операция стирания выполняется поблочно. Массив памяти состоит из 4096 отдельно стираемых блоков объемом 128 Кбайт. Структура микросхемы K9K4G08U0M приведена на рисунке 2.3.

Рисунок 2.3 - Структура микросхемы K9K4G08U0M

Адрес K9K4G08U0M мультиплексирован на 8 выводов (таблица 2.1). Такая схема существенно уменьшает число выводов и допускает дальнейшее повышение плотности с сохранением согласованности на системной плате. Команды, адрес и данные записываются через входы/выходы переводом WE в низкий уровень при низком уровне на входе СЕ. Данные сохраняются по фронту сигнала WE. Сигналы разрешение записи команды (CLE) и разрешение записи команды адреса (ALE) используются для мультиплексирования команд и адреса соответственно из приходящих на входы/выходы данных. Некоторые команды требуют одного шинного цикла, например, команда сброса, команда чтения состояния и т.д. Для других команд, таких как чтение страницы, стирание блока и запись страницы, необходимо 2 цикла: один на установку и другой - на исполнение команды. 512 Мбайт физического объема требуют 30-разрядного адреса, таким образом, необходимо 5 циклов записи адреса: 2 цикла для адресации по столбцам (Column) и 3 цикла для адресации по строкам (Row).

Таблица 2.1 - Адресация микросхемы K9K4G08U0M

Для операции чтения и записи страницы так же необходимы 5 циклов записи адреса, следующие за нужной командой. Однако для операции стирания блока требуется всего 3 цикла записи адреса (адрес страницы). Операции с устройством выбираются записью специальных команд в командный регистр (таблица 2.2).

Таблица 2.2 - Список команд микросхемы K9K4G08U0M

* Произвольный ввод/вывод данных возможен в пределах 1 страницы.

Ускорить запись данных можно при помощи кэш-регистра объемом 2112 байт. Запись в кэш-регистр может быть произведена во время перезаписи данных из регистра данных в ячейки памяти (во время программирования). После окончания программирования, при наличии данных в кэш регистре, внутренний контроллер микросхемы перепишет данные из кэш-регистра в регистр данных и начнет запись новой страницы.

Устройство реализует функцию автоматического чтения при включении питания, которая обеспечивает последовательный доступ к данным первой страницы после включения питания без ввода команды и адреса.

В дополнение к расширенной архитектуре и интерфейсу устройство включает функцию резервного копирования данных с одной страницы на другую без использования внешней буферной памяти. Т.к. трудоемкие циклы последовательного доступа и ввода данных исключены, то производительность системы для применения в полупроводниковых дисках значительно улучшена.

Устройство может содержать недопустимые блоки при первом использовании. Во время использования микросхемы количество недопустимых блоков может возрасти. Недопустимые блоки - это блоки, которые содержат 1 или более изначально неработоспособных битов, надежность которых не гарантируется компанией Samsung. Устройства с недопустимыми блоками имеют тот же уровень качества и те же динамические и статические характеристики, как и устройства без таких блоков. Недопустимые блоки не влияют на работу нормальных блоков, потому что они изолированы от разрядной шины и общей шины питания транзистором выбора. Система спроектирована таким образом, что у недопустимых блоков блокируются адреса. Соответственно, к некорректным битам попросту нет доступа. Первый блок, помещаемый в 00-й адрес, должен использоваться для хранения загрузочной информации. SAMSUNG уверяет, что он будет гарантированно допустимым, не требующим исправления ошибок в течение 1 Кциклов записи/чтения.

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11